傳統(tǒng)制備方法在過去的五十年里，一個(gè)通用的試樣制備程序被開發(fā)出來，并在大多數(shù)金屬和合金材料的制備運(yùn)用中取得了很大的成功。這種方法主要是先在一系列防水SiC砂紙研磨，然后用一道或幾道金剛石顆粒粗磨，用不同粒度的氧化鋁懸浮液精拋光。這套試樣制備方法被叫做“傳統(tǒng)試樣制備方法”。該方法既可采用手工方式也可采用自動方式，雖然手工較難保持施加到試樣上的載荷恒定。需補(bǔ)充說明的是，試樣夾持器要與磨盤同向旋轉(zhuǎn)，但不適用于手工制備。有些設(shè)備可以設(shè)置成試樣夾持器要與磨盤以相對的方向旋轉(zhuǎn)，被叫做“反向旋轉(zhuǎn)”。該方法提供的磨削動作更大，已不能算做“傳統(tǒng)試樣制備方法”的一部分。傳統(tǒng)試樣制備方法也不是固定不變的，象某些拋光布可能被新的物品替代或者其中的一個(gè)拋光步驟或多個(gè)拋光步驟被省略。為了實(shí)現(xiàn)理想的制備表面或由于材料的不同，所以相應(yīng)的時(shí)間和壓力可能不同。這就是金相“藝術(shù)”。

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    金相全自動研磨拋光設(shè)備采用多頭試樣夾持器，初的磨拋步驟叫磨平步驟。本步驟必須把切割損傷去除，以便給所有的試樣建立一個(gè)統(tǒng)一的平面，保證在隨后的步驟中每一個(gè)試樣所受的影響都一樣。碳化硅和氧化鋁砂紙通常被用于磨平步驟，并且效果理想。除了這些砂紙之外，還有其它的選擇。其中一種，是用傳統(tǒng)的氧化鋁磨拋石磨平。這就要求一部特殊的設(shè)備，氧化鋁磨拋石必須高速旋轉(zhuǎn)，≥1500rpm以有效研磨。這些氧化鋁磨拋石除了必須定期用金剛石韌磨以保持平整度，研磨損傷大及研磨顆粒容易嵌到試樣里可能會是一個(gè)要面對的問題。其它材料也被用于磨平步驟和隨后的步驟，以替代SiC砂紙。對那些非常硬的材料，如陶瓷和燒結(jié)碳化物，一個(gè)或多個(gè)金屬黏結(jié)或樹脂黏結(jié)的金剛石磨盤(傳統(tǒng)類型)粒度從70μm到9μm可以使用。重慶全自動金相磨拋機(jī)什么品牌性價(jià)比高不同材料的研磨需要購買不同的金相磨拋機(jī)嗎，賦耘提供一體機(jī)實(shí)驗(yàn)所有材料的磨拋!

   塑料和聚合物非常軟。許多不同的切割方法可以使用。鋒利的剃刀或解剖刀或者剪刀，可以用于切割此類材料。顯微鏡用薄片切片機(jī)被用于切割，先把試樣在液氮中冷凍然后切割的表面有利隨后的制備過程。盡管切后的表面很粗糙，但珠寶鋸也可以用于切割。精密鋸能獲得非常好的表面，砂輪切割片切割出的表面更粗糙損傷更大。賦耘可以提供專門切割聚合物的切割片和切割輪，切割的損傷很容易去除。聚合物的表面質(zhì)量有可能因研磨和拋光的研磨劑碎片而降低。鑲嵌的試樣要比沒鑲嵌的試樣更容易制備。比較好用可澆注的樹脂鑲嵌試樣，以免鑲嵌產(chǎn)生的熱量損傷或改變組織結(jié)構(gòu)。金相研磨機(jī)磨盤直徑有200mm、230mm、250mm、300mm可選！大直徑的研磨盤會增加試樣在給定時(shí)間內(nèi)的運(yùn)動距離。例如，轉(zhuǎn)速一樣時(shí)，試樣在直徑10英寸或直徑12英寸(250或300mm)研磨盤上的運(yùn)動距離，分別是在8英寸(200mm)直徑研磨盤上運(yùn)動距離的。因此當(dāng)使用10英寸或12英寸(250或300mm)研磨盤時(shí)，建議將時(shí)間減少為8英寸(200mm)研磨盤的80%或67%。大直徑的研磨機(jī)的試樣制備時(shí)間要短，但耗材消耗稍多，所以大直徑的研磨機(jī)更適合試樣數(shù)量多試樣尺寸大的地方使用。

現(xiàn)代制備方法新的制備概念和新的制備材料被大量引入試樣制備領(lǐng)域，使得金相工作者利用較短的時(shí)間就可獲得一個(gè)更理想的結(jié)果。大部分這些改善都是想法減少或取消研磨步驟中防水SiC砂紙的使用。幾乎所有的初步驟都要用SiC砂紙，但也有許多材料可以用其它材料替代SiC砂紙。第一步使用SiC砂紙沒有任何不對，只是使用周期太短。如果自動設(shè)備使用，試樣被緊緊固定在試樣夾持器(中心加載)，第一步必須將每個(gè)試樣上的切割損傷去除，同時(shí)把每個(gè)試樣磨到同一平面。因此第一步經(jīng)常被稱為“磨平研磨”，SiC砂紙可以用于該步驟，盡管可能會消耗不止一張的SiC砂紙。磨平步驟也可以用45pm金屬黏結(jié)盤來實(shí)現(xiàn)，或者用30pm樹脂黏結(jié)盤來實(shí)現(xiàn)，具體選擇主要根據(jù)被制備材料。硬研磨盤不含研磨介質(zhì)，必須添加相應(yīng)的研磨介質(zhì)，簡單的辦法就是加懸浮液。對大多數(shù)金屬和合金而言，由于多晶人造金剛石懸浮液比單晶人造金剛石懸浮液切割效率高，所以使用多晶人造金剛石懸浮液要比單晶人造金剛石懸浮液獲得的效果要高的多。磨平步驟也可以用45pm金屬黏結(jié)盤來實(shí)現(xiàn)，或者用30pm樹脂黏結(jié)盤UltraPrep來實(shí)現(xiàn)，或者用ApexHerculesH硬研磨盤及15pm或30pm金剛石盤來實(shí)現(xiàn)，具體選擇主要根據(jù)被制備的材料。賦耘磨拋機(jī)的外形尺寸及空間占用情況？

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   微電子材料所指的材料范圍很廣，這是因?yàn)槲㈦娮釉O(shè)備很復(fù)雜，包含大量的單個(gè)組件。例如，微處理器的失效分析可能會要求金相工作者正好從多層鍍層(例如氧化物、聚合物、易延展的金屬如銅或鋁、難熔金屬如鎢或鈦-鎢)的硅片的橫截面切割。另外，包裝材料也可能含有機(jī)械性能各異的材料如I氧化鋁或焊料。這些焊料有可能含有高達(dá)97%的鉛。可以想象將這么多性能各異的材料整合到一個(gè)單一的設(shè)備里，并開發(fā)出一個(gè)適用于所有材料的制備程序的可能性就不存在，所以我們必須將注意力集中在幾種材料上，去開發(fā)我們所要關(guān)注材料的試樣制備程序。初定義的微電子材料是硅。硅是一種相當(dāng)硬的脆的材料,不容易用大顆粒的SiC研磨。因?yàn)镾iC砂紙粘有堅(jiān)硬的磨削顆粒，當(dāng)它們接觸時(shí)會在硅片的邊緣造成損傷。另外，會在硅片的邊緣產(chǎn)生拉應(yīng)力，將導(dǎo)致較深的破壞裂紋。盡量接近切割目標(biāo)區(qū)切割，但也不能太接近目標(biāo)區(qū)切割,精細(xì)研磨仍然是必不可少的。因此硅的制備被劃分成兩種截然不同的方法，第一種是傳統(tǒng)的金相方法，第二種用特殊的夾具和研磨顆粒制備沒有封裝的硅片。重慶全自動金相磨拋機(jī)什么品牌性價(jià)比高