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從過(guò)載持續(xù)時(shí)間來(lái)看,過(guò)載能力可分為短期過(guò)載與長(zhǎng)期過(guò)載:短期過(guò)載指過(guò)載持續(xù)時(shí)間小于 1 秒的工況,此時(shí)模塊主要依靠器件自身的熱容量吸收熱量,無(wú)需依賴散熱系統(tǒng)的長(zhǎng)期散熱;長(zhǎng)期過(guò)載指過(guò)載持續(xù)時(shí)間超過(guò) 1 秒的工況,此時(shí)模塊需依賴散熱系統(tǒng)(如散熱片、風(fēng)扇)將熱量及時(shí)散發(fā),避免溫度持續(xù)升高。由于晶閘管的結(jié)溫上升速度快,長(zhǎng)期過(guò)載易導(dǎo)致結(jié)溫超出極限,因此可控硅調(diào)壓模塊的過(guò)載能力主要體現(xiàn)在短期過(guò)載場(chǎng)景,長(zhǎng)期過(guò)載通常需通過(guò)系統(tǒng)保護(hù)策略限制,而非依賴模塊自身耐受。淄博正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。安徽雙向可控硅調(diào)壓模塊配件

過(guò)零控制(又稱過(guò)零觸發(fā)控制)是通過(guò)控制晶閘管在交流電壓過(guò)零點(diǎn)時(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)斷,實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)節(jié)的控制方式。其重點(diǎn)特點(diǎn)是晶閘管只在電壓過(guò)零瞬間動(dòng)作,避免在電壓非過(guò)零點(diǎn)切換導(dǎo)致的電壓突變與浪涌電流。過(guò)零控制主要通過(guò) “周波數(shù)控制”(又稱調(diào)功控制)實(shí)現(xiàn):控制單元根據(jù)負(fù)載功率需求,設(shè)定單位時(shí)間內(nèi)晶閘管的導(dǎo)通周波數(shù)與關(guān)斷周波數(shù)比例,通過(guò)調(diào)整這一比例改變輸出功率(進(jìn)而間接控制輸出電壓的平均值)。例如,在 50Hz 電網(wǎng)中,單位時(shí)間(如 1 秒)包含 50 個(gè)電壓周波,若設(shè)定導(dǎo)通周波數(shù)為 30、關(guān)斷周波數(shù)為 20,則輸出功率約為額定功率的 60%。寧夏三相可控硅調(diào)壓模塊分類淄博正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

大功率模塊(額定電流≥200A),大功率模塊采用大型封裝(如半橋、全橋模塊封裝),通常配備大型散熱片或液冷系統(tǒng),溫度差(芯片到外殼)約25-30℃。Si晶閘管大功率模塊的外殼較高允許溫度為105℃-125℃,較高允許溫升為80℃-100℃;SiC晶閘管模塊的外殼較高允許溫度為155℃-175℃,較高允許溫升為130℃-150℃。不同行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)可控硅調(diào)壓模塊的較高允許溫升有明確規(guī)定,常見(jiàn)標(biāo)準(zhǔn)包括國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)標(biāo)準(zhǔn)、美國(guó)國(guó)家電氣制造商協(xié)會(huì)(NEMA)標(biāo)準(zhǔn)及中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB):IEC標(biāo)準(zhǔn):IEC60747-6標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,Si晶閘管的較高允許結(jié)溫為125℃-150℃,模塊外殼與環(huán)境的較高允許溫升(環(huán)境溫度40℃)為60℃-80℃;SiC晶閘管的較高允許結(jié)溫為175℃-200℃,較高允許溫升為110℃-130℃。
器件額定電壓等級(jí)也影響輸入電壓下限:當(dāng)輸入電壓過(guò)低時(shí),晶閘管的觸發(fā)電壓(V_GT)與維持電流(I_H)可能無(wú)法滿足,導(dǎo)致導(dǎo)通不穩(wěn)定。例如,輸入電壓低于額定值的 80% 時(shí),晶閘管門(mén)極觸發(fā)信號(hào)可能無(wú)法有效觸發(fā)器件導(dǎo)通,需通過(guò)優(yōu)化觸發(fā)電路(如提升觸發(fā)電流、延長(zhǎng)脈沖寬度)擴(kuò)展下限適應(yīng)能力。不同電路拓?fù)鋵?duì)輸入電壓適應(yīng)范圍的支撐能力不同:?jiǎn)蜗喟肟貥蛲負(fù)洌航Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,只包含兩個(gè)晶閘管與兩個(gè)二極管,輸入電壓適應(yīng)范圍較窄,通常為額定電壓的90%-110%,因半控橋無(wú)法在低電壓下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電流續(xù)流,易導(dǎo)致輸出電壓波動(dòng)。淄博正高電氣始終堅(jiān)持以人為本,恪守質(zhì)量為金,同建雄績(jī)偉業(yè)。

輸入濾波電路:模塊輸入側(cè)并聯(lián)電容、串聯(lián)電感組成LC濾波電路,抑制電網(wǎng)中的高頻干擾與電壓尖峰,使輸入電壓波形更平滑。電容可吸收電壓波動(dòng)中的瞬時(shí)能量,電感可抑制電流變化率,兩者配合可將輸入電壓的紋波系數(shù)控制在5%以內(nèi),減少電壓波動(dòng)對(duì)調(diào)壓環(huán)節(jié)的影響。穩(wěn)壓二極管與瞬態(tài)電壓抑制器(TVS):在晶閘管兩端并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或TVS,當(dāng)輸入電壓突然升高產(chǎn)生尖峰電壓時(shí),穩(wěn)壓二極管或TVS擊穿導(dǎo)通,將電壓鉗位在安全范圍,保護(hù)晶閘管免受過(guò)壓損壞,同時(shí)避免尖峰電壓傳遞至輸出側(cè),維持輸出穩(wěn)定。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn),邁向優(yōu)良品質(zhì)!淄博進(jìn)口可控硅調(diào)壓模塊功能
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斬波控制通過(guò)高頻PWM調(diào)整占空比,配合直流側(cè)Boost/Buck補(bǔ)償電路,對(duì)輸入電壓波動(dòng)的響應(yīng)速度極快(微秒級(jí)),輸出電壓穩(wěn)定精度極高(±0.1%以內(nèi)),且諧波含量低,適用于輸入電壓快速波動(dòng)、對(duì)輸出質(zhì)量要求高的場(chǎng)景(如精密電機(jī)控制、醫(yī)療設(shè)備供電)。通斷控制通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間導(dǎo)通/關(guān)斷實(shí)現(xiàn)調(diào)壓,無(wú)精細(xì)的電壓調(diào)整機(jī)制,輸入電壓波動(dòng)時(shí)輸出電壓偏差大(±5%以上),穩(wěn)定性能較差,只適用于輸入電壓穩(wěn)定、對(duì)輸出精度無(wú)要求的粗放型控制場(chǎng)景。安徽雙向可控硅調(diào)壓模塊配件