特點：1、芯片與底板電氣絕緣2、國際標準封裝3、全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力4、350A以下模塊皆為強迫風冷，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷5、安裝簡單，使用維修方便典型應用：1、交直流電機控制2、各種整流電源3、工業加熱控制4、調光5、無觸點開關6、電機軟起動7、靜止無功補償8、電焊機9、變頻器10、UPS電源11、電池充放電，淄博正高電氣有限公司有10多年功率半導體元器件制造經驗，是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的電力半導體器件有：全系列功率模塊，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，軟恢復快速整流管(FRD)，旋轉整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導晶閘管(KN)，可關斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發電機旋轉勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源，充電電源，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領域。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現了自動軋機原器件的國產化。淄博正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。青海雙向晶閘管移相調壓模塊組件

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同。山東進口晶閘管移相調壓模塊型號淄博正高電氣銳意進取，持續創新為各行各業提供專業化服務。

可控硅模塊分為壓接式和焊接式，兩者有什么區別呢？可控硅模塊具有體積小、結構簡單、方便操作、安全可靠等優點，對于電氣行業起著至關重要的作用，它的分類也是比較多，不同類型具有不同的功能，下面正高電氣來說說壓接式可控硅模塊和焊接式可控硅模塊的區別有哪些？①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。以上就是壓接式可控硅模塊和焊接式可控硅模塊的區別，希望對您有所幫助。

面板上所有發光二極管VD1－VD8均不亮，電風扇不轉。若這時每按動一次風速選擇鍵SB3，可依次從IC的11－13腳輸出控制電平（脈沖信號），經發光管VDl－VD3和限流電阻R2－R4，分別觸發雙向晶閘管VS1－VS3的G極，用以控制它的導通與截止，再經電抗器L進行阻抗變換，即可按強風、中風、弱風、強風……的順序來改變其工作狀態，并且風速指示管VD1－VD3（紅色）對應點亮或熄滅；當按風型選擇鍵SB4，電風扇即按連續風（常風）、陣風（模擬自然風）、連續風……的方式循環改變其工作狀態，在連續風狀態下，風型指示管VD4（黃色）熄滅，在陣風狀態下，VD4閃光；當按動定時時間選擇鍵SB2，定時指示管VD5－VD8依次對應點亮或熄滅，即每按動一次SB2，可選擇其中一種定時時間，共有、l、2、4小時和不定時5種工作方式供選擇。當定時時間一到，IC內部的定時電路停止工作，相應的定時指示管熄滅同時IC的11－13腳也無控制信號輸出，雙向晶閘管VS1－VS3截止，從而導致風扇自動停止運轉；在風扇不定時工作時，欲停止風扇轉動，只要按動一下復位開關SB1，所有指示燈熄滅，電源被切斷，風扇停轉；如欲啟動風扇，照上述方法操作即可。元器件選擇與制作圖中除降壓電容C1用優良的CBB-400V聚苯電容。淄博正高電氣為企業打造高水準、高質量的產品。

可控硅損壞原因判別哪種參數壞了？當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。淄博正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。北京單向晶閘管移相調壓模塊配件

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VT2截止，NE555第①腳接地端開路而不工作，此時，電路的耗電只為VT1、VT2的穿透電流，約3～5μA，四節電池能使用一年半以上。按下K1后，VT1飽和導通，R3兩端電壓接近電源電壓，VT2飽和導通，NE555工作，此時，NE555第②腳由高電平變為低電平，而且低于1/3的電源電壓，NE555翻轉，第③腳輸出高電平，其一路能過R7驅動光電耦合器4N25，使雙向可控硅VS導通，床頭燈H點亮；另一路通過二極管VD1、電阻R6向VT2提供足夠大的偏流，維持VT2飽和導通，此時，即使K1斷開，VT2的工作狀態也不變，即NE555的暫穩狀態不變。在此期間，電源經R5為C1充電，使C1兩端電壓不斷升高，當C1兩端電壓大于2/3電源電壓時，通過NE555的放電端第⑦腳放電，NE555的暫穩態結束，第三③腳由高電平變為低電平，VT2截止，進入另一個穩定狀態，只有在K1再次接通時，NE555才再次進入暫穩態，床頭燈再次點亮。該床頭燈所用元件型號及數據如附圖所示，無特殊要求。整個床頭燈安裝容易，調試簡單，只要安裝無誤，就能正常使用。若延時時間太短，可加大R5的阻值或C1的容量，反之亦然。安裝時將按鍵部分外置，其余元件裝入塑料盒內，以確保使用安全。青海雙向晶閘管移相調壓模塊組件

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