本發明涉及一種半導體制造技術，尤其是一種用于晶圓搬運的機械手。

背景技術：

在半導體加工設備中，經常需要將晶圓在各個工位之間進行傳送，在傳送的過程中，傳送精度越高，設備工藝一致性就越好，速度越快，單臺設備的產能就越大。隨著半導體工藝的發展，設備處理的工藝越來越復雜，對設備自動化程度、柔性化程度要求也越來越高，這就需要一種定位精度高，速度快的多自由度的機械手。

技術實現要素：

本發明針對現有技術中的不足，提供了一種晶圓搬運機械手，本發明的機械手在傳送過程中晶片中心始終保證直線運動，且角度不會發生改變。從而提高機械手整體剛度和承重能力，同時提高了重復定位精度。本發明結構合理性能穩定，維護方便，多功能集一身，可滿足多種工藝設備要求，適用于各種半導體設備。

運動元件。如油缸、氣缸、齒條、凸輪等是驅動手臂運動的部件。肇慶銷售晶圓運送機械吸臂價格信息

輸送半導體晶圓的機械手通常具有兩個以上的自由度。這種機械手典型地由兩個連桿和手部構成。在本說明書中，將兩個連桿稱作上臂連桿和前臂連桿。典型地，上臂連桿的一端連結于電機的輸出軸，上臂連桿的另一端連結于前臂連桿的一端。而且，前臂連桿的另一端連結于手部。上臂連桿和前臂連桿經由關節而連結。前臂連桿和手部也經由關節而連結。在各個關節處安裝有軸承，以便使連桿順暢地旋轉。在輸送半導體晶圓的機械手中，為了不污染傳送室內而屏蔽（shield）安裝于關節的軸承。上海直銷晶圓運送機械吸臂什么價格隨著宇航業及機器人業的飛速發展，越來越多地采用由若干個柔性構件組成的多柔體系統。

可用于300mm半導體晶圓搬送的5軸水平多關節潔凈機械手臂GTCR5000系列。

單臂雙手指結構能夠實現和雙臂結構同樣的功能。

適用于300mm半導體生產設備內部，檢測設備等的晶圓搬運。

機械手臂標準臂長: 210mm, 280mm機械手臂可以單獨對應2個FOUP（210mm臂長）

或者3個FOUP（280mm臂長）雙手指結構能夠縮短更換晶圓時的手臂動作時間適應設備需求可以選擇底座固定方式，或者法蘭固定方式配備動作監視器控制通訊方式：RS232C及并口I/O方式全軸采用絕對值編碼器規格的AC伺服電機通過S曲線加減速控制方式以及對運動軌跡的優化

能夠高速，高精度地搬運半導體晶圓晶圓固定方式：真空吸附式，下托式，邊緣夾持式，伯努利非接觸式手指材質：CFRP(碳纖維),鋁合金，高純度陶瓷等多種可選材質

    區熔法分為兩種：水平區熔法和立式懸浮區熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長；后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長的不同捏？這是由于硅的熔點高，化學性能活潑，容易受到異物的玷污，所以難以找到適合的器皿來盛方，自然水平區熔法不能用在硅的生長上啦。區熔法與直拉法比較大的不同之處在于：區熔法一般不使用坩鍋，引入的雜質更少，生長的材料雜質含量也就更少。總而言之，單晶硅棒是圓柱形的，使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎？Bingo，圖左的尖尖是籽晶，圖右的尖尖是晶棒長到***，從熔融態里出來后，由于復雜的流體力學原理，以及熔融態的硅迅速凝固而導致的。 圖為單軸機械手臂。單軸機械手臂的組件化**降低了工業設計的成本.

電動式 電力驅動是目前機械臂使用得**多的一種驅動方式。其特點是電源方便，響應快，驅動力較大（關節型的持重已達400公斤），信號檢測、傳遞、處理方便，并可以采用多種靈活的控制方案。驅動電機一般采用步進電機，直流伺服電機以及交流伺服電機（其中交流伺服電機為目前主要的驅動形式）。由于電機速度高，通常采用減速機構（如諧波傳動、RV擺線針輪傳動、齒輪傳動、螺旋行動和多桿式機構等）。目前，有些機械臂已開始采用無減速機構的大轉矩、低轉速的電機進行直接驅動（DD），這既可以使機構簡化，又可提高控制精度。二、按用途分⒈搬運機械臂 這種機械臂用途很廣，一般只需點位控制。即被搬運零件無嚴格的運動軌跡要求，只要求始點和終點位姿準確。如機床上用的上下料器人，工件堆垛機械臂，注塑機配套用的機械等。實現旋轉、升降運動是由橫臂和產柱去完成。江蘇正規晶圓運送機械吸臂價位

對于粉塵作業的機械手還要添裝防塵設施。肇慶銷售晶圓運送機械吸臂價格信息

年來全球硅晶圓供給不足，導致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達2019上半年和年底。目前國內多個硅晶圓項目已經開始籌備，期望有朝一日能夠打破進口依賴，并有足夠的能力滿足市場需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。一，晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應（碳氧結合，得硅），提純得純度約為98%的純硅，又稱冶金級硅，這對微電子器件來說依然不夠純，因為半導體材料的電學特性對雜質的濃度相當的敏感，因而對冶金級硅作進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態的氯化氫進行氯化反應，生成液態的硅烷，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度達99%，成為電子級硅。肇慶銷售晶圓運送機械吸臂價格信息

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