56、SIP（single in-line package）單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2至23，多數為定制產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP相同的封裝稱為SIP。57、SK－DIP（skinny dual in-line package）DIP的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統稱為DIP（見DIP）。58、SL－DIP（slim dual in-line package）DIP的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統稱為DIP。59、SMD（surface mount devices）電壓測量或用示波器探頭測試波形時，避免造成引腳間短路，在與引腳直接連通的印刷電路上進行測量。南京好的集成電路市價

5、Cerquad集成電路表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規格。引腳數從32到368。帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ－G（見QFJ）。南京好的集成電路服務熱線集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。

但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難于作到QFP的引腳那樣多，一般從14到100左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm外，還有0.65mm和0.5mm兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC等。44、QFP（quad flat package）四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼（L）型。基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。

42、QFJ（quad flat J-leaded package）四側J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數情況稱為PLCC（見PLCC），用于微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC（見CLCC）。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機芯片電路。引腳數從32至84。43、QFN（quad flat non-leaded package）集成電路四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。90年代后期多稱為LCC。QFN是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。表示帶散熱器的標記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術定義，通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構成。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。南京質量集成電路圖片

集成電路的產生，任何發明創造背后都是有驅動力的，而驅動力往往來源于問題。南京好的集成電路市價

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F已開發出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。 MCM－C是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。南京好的集成電路市價

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