J形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J字形，故此得名。通常為塑料制品，多數用于DRAM和SRAM等存儲器LSI電路，但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20至40（見SIMM）。63、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照JEDEC（美國聯合電子設備工程委員會）標準對SOP所采用的名稱（見SOP）。64、SONF（Small Out-Line Non-Fin）無散熱片的SOP。與通常的SOP相同。為了在功率IC封裝中表示無散熱片的區別，有意增添了NF（non-fin）標記。部分半導體廠家采用的名稱（見SOP）。J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導體廠家采用的名稱。江蘇常見集成電路工廠直銷

11、DSO（dual small out-lint）雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱（見SOP）。部分半導體廠家采用此名稱。12、DICP（dual tape carrier package）集成電路雙側引腳帶載封裝。TCP（帶載封裝）之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利用的是TAB（自動帶載焊接）技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為定制品。另外，0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。在日本，按照EIAJ（日本電子機械工業）會標準規定，將DICP命名為DTP。江蘇常見集成電路工廠直銷引腳中心距0.635mm，引腳數從84到196左右（見QFP）。

美國Olin公司開發的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業公司于1993年獲得特許開始生產。31、MSP（mini square package）QFI的別稱（見QFI），在開發初期多稱為MSP。QFI是日本電子機械工業會規定的名稱。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola公司對模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封裝的記號。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）

但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難于作到QFP的引腳那樣多，一般從14到100左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm外，還有0.65mm和0.5mm兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC等。44、QFP（quad flat package）四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼（L）型。基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。

這就是初期集成電路的構想，晶體管的發明使這種想法成為了可能，1947年在美國貝爾實驗室制造出來了***個晶體管，而在此之前要實現電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結構脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點，因此在晶體管發明后，很快就出現了基于半導體的集成電路的構想，也就很快發明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發明了鍺集成電路和硅集成電路。集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用于大功率）、扁平型和雙列直插型。錫山區本地集成電路廠家供應

DIP是普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。江蘇常見集成電路工廠直銷

2025年將持續推進集成電路領域標準研制。 [5]2025年2月28日，國家統計局消息：2024年集成電路產量4514.2億塊，比上年增長22.2%。集成電路出口數量2981億個，比上年增長11.6%，出口金額11352億元，比上年增長18.7%。集成電路進口數量5492億個，比上年增長14.6%，進口金額27445億元，比上年增長11.7%。 [7]2025年8月14日，國家發展**委黨組成員、國家數據局局長劉烈宏在國新辦舉行的“高質量完成‘十四五’規劃”系列主題新聞發布會上介紹，集成電路加快布局，形成覆蓋設計、制造、封裝測試、裝備材料的完整產業鏈。 [9江蘇常見集成電路工廠直銷

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