上海彌正超高純六氟化鎢（6N 級純度），是半導體先進制程中鎢金屬層沉積的重心前驅體，以 “高純度 + 低金屬雜質” 助力芯片性能升級。采用化學合成與多級精餾提純工藝，將雜質總量控制在 1ppm 以下，其中銅、鐵、鋁等金屬雜質含量均≤0.1ppb，完全滿足 14nm 及以下邏輯芯片、3D NAND 閃存制造的工藝要求。在化學氣相沉積（CVD）工藝中，它能精細地在晶圓表面沉積出均勻、致密的鎢金屬層，用于芯片的柵極、互連線及接觸孔填充，其純度直接決定了鎢層的導電性與可靠性，進而影響芯片的運行速度與壽命。配備耐腐蝕的特用包裝與輸送系統，采用內壁經特殊鈍化處理的鎳合金氣瓶，防止氣體與容器發生反應導致污染，輸送管路采用無死腔設計，確保氣體純凈度。某頭部晶圓制造企業應用后，3D NAND 閃存的鎢層沉積均勻性提升至 99.5%，芯片數據存儲密度提高 15%，良率提升 2.2%，有力支撐了企業在先進存儲領域的技術競爭力。超高純磷化氫（純度 99.999%）是 LED 芯片制造的 P 型摻雜氣體。上海三氟甲烷超高純氣體光纖生產

上海彌正超高純乙硼烷（5N 級純度），專為 FinFET、GAA（全環繞柵極）等先進晶體管結構的超淺結摻雜工藝設計，以 “超高純度 + 準確控制” 突破芯片制程瓶頸。采用低溫合成與精密吸附提純技術，將雜質含量控制在極低水平，其中磷、砷等雜質含量≤5ppt，水分含量≤10ppb，滿足 5nm 及以下先進制程對超淺結摻雜的嚴苛要求。在超淺結摻雜中，它能提供高濃度的硼離子，實現對半導體材料的準確、淺度摻雜，形成高性能的 P 型半導體層，其純度與穩定性直接影響結深控制精度與器件的閾值電壓，對提升晶體管開關性能至關重要。提供定制化的稀釋與輸送方案，可根據客戶工藝需求，將乙硼烷準確稀釋至 1-100ppm 的標準混合氣，采用不銹鋼管道輸送，配備在線濃度監測與自動報警系統，確保摻雜過程準確可控。某專注于先進制程的芯片設計與制造企業應用后，GAA 晶體管的閾值電壓波動范圍縮小至 ±0.02V，開關電流提升 20%，成功實現 5nm 制程芯片的穩定量產。上海丙烯超高純氣體檢測分析超高純氣體采用不銹鋼氣瓶儲存，防止運輸過程中二次污染。

上海彌正超高純氪氣（5N 級純度），專為等離子體顯示面板（PDP）、照明燈具制造設計，以 “高純度 + 高發光效率” 提升產品性能。通過多級精餾與吸附提純工藝，將雜質含量控制在 1ppb 以下，其中氖、氙等雜質含量≤0.2ppb，確保發光性能穩定。在 PDP 顯示面板中，作為放電單元填充氣體，能提升面板發光亮度與色彩還原度，延長面板使用壽命；在照明領域，用于氪氣燈填充，提升燈光色溫穩定性與發光效率，節能效果明顯。采用小型高壓氣瓶包裝，配備精密流量控制閥門，支持準確供氣，氣體使用效率提升 30%。某顯示設備企業應用后，PDP 面板發光亮度提升 15%，色彩還原度接近 100%；某照明企業使用后，氪氣燈使用壽命延長 2 倍，能耗降低 20%，完全滿足顯示與照明產業的性能升級需求。

上海彌正針對光伏產業多晶硅生產、硅片切割、電池片制造等全流程，推出包含超高純氫氣、氮氣、氬氣、硅烷等的氣體套裝解決方案，適配 N 型 TOPCon 與 HJT 高效電池技術需求。套裝內所有氣體均通過光伏行業**提純工藝，其中超高純氫氣純度達 6N 級，硅烷純度達 5N 級，雜質含量嚴格遵循《光伏制造用特種氣體發展白皮書》標準，確保不影響電池轉換效率。提供按需定制的混合氣體配比服務，可根據客戶工藝要求精細調配不同比例的保護氣與反應氣，同時配備智能供氣系統，支持流量、壓力的實時監測與自動調節，流量控制精度達 ±0.5%。某大型光伏企業應用后，多晶硅生產能耗降低 12%，電池片轉換效率提升 0.8%，年新增發電量超 1 億千瓦時，且氣體供應穩定性滿足 24 小時連續生產需求，2023 年助力客戶實現 9.8 萬噸的高純氣體消耗量適配，響應光伏產業 24.6% 的年增長需求。超高純氬氣與氫氣混合氣，適配金屬熱處理，提升材料韌性。

上海彌正針對碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體制造，打造專屬超高純氣體解決方案，以 “適配寬禁帶特性 + 準確工藝控制” 助力功率器件與射頻器件量產。方案涵蓋超高純氨氣、硅烷、氫氣、氬氣等重心氣體，其中用于 GaN 外延生長的超高純氨氣純度達 7N 級，金屬雜質含量≤0.01ppb；用于 SiC 刻蝕的超高純氟化物氣體純度達 6N 級，確保材料刻蝕的準確度與表面質量。第三代半導體材料具有耐高溫、耐高壓、高頻的特性，對氣體純度與雜質控制要求遠高于傳統硅基半導體，該方案通過準確控制氧、碳、金屬等雜質含量，有效減少外延層缺陷，提升器件的擊穿電壓與可靠性。提供外延生長、離子注入、刻蝕、退火等全工藝環節的氣體組合，并配備工藝適配團隊，協助客戶優化氣體流量、壓力等工藝參數。某專注于 SiC 功率器件的企業應用該方案后，外延片的缺陷密度從 103cm?2 降至 102cm?2 以下，器件的擊穿電壓提升 20%，成功實現車規級 SiC MOSFET 的穩定量產。超高純氮氣與氫氣混合氣（比例可調），用作退火工藝保護氣。上海三氟甲烷超高純氣體光纖生產

超高純氫氣用于燃料電池，純度≥99.999% 確保電池高效穩定運行。上海三氟甲烷超高純氣體光纖生產

上海彌正超高純磷烷（5N 級純度），作為半導體制造中關鍵的 N 型摻雜氣體，以 “準確摻雜 + 高安全性” 滿足芯片電性能調控需求。通過絡合純化與吸附分離工藝，將雜質總含量控制在 100ppt 以下，其中砷、硼等競爭性摻雜元素含量≤10ppt，確保摻雜精度與芯片性能穩定。在芯片制造的摻雜工藝中，它被精確引入晶圓表層，通過熱擴散或離子注入方式，改變半導體材料的導電類型，形成 N 型半導體區域，是構建晶體管源極、漏極及電阻等關鍵結構的重心材料。針對其高毒性與高反應活性的特點，建立了符合 SEMI 標準的全流程安全管理體系，從生產、檢測、包裝到運輸均配備多重安全防護裝置，氣瓶采用特制的防爆閥門與泄漏監測系統，確保使用安全。某先進邏輯芯片企業應用該氣體后，晶體管開關速度提升 12%，芯片功耗降低 8%，摻雜工藝的均勻性與重復性均達到國際先進水平，產品良率穩居行業前列。上海三氟甲烷超高純氣體光纖生產

上海彌正氣體有限公司在同行業領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創新的市場高度，多年以來致力于發展富有創新價值理念的產品標準，在上海市等地區的電工電氣中始終保持良好的商業口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環境，富有營養的公司土壤滋養著我們不斷開拓創新，勇于進取的無限潛力，上海彌正氣體供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！