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  • DLC70P3R9BW251NT
    DLC70P3R9BW251NT

    全球射頻微波MLCC市場規模持續增長,預計到2027年將達到77.7億元,年均復合增長率達8.56%,高于普通MLCC市場。下游5G、物聯網、新能源汽車等產業的快速發展,為Dalicap的未來增長提供了廣闊的市場空間。公司于2023年12月成功在創業板上市,獲得了寶貴的資本平臺。募集資金將用于產能擴張、信息化升級和營銷網絡建設,這將極大地助力其提升技術實力、擴大生產規模、增強市場影響力,為未來的快速發展注入新動能。Dalicap吸引并凝聚了一支高素質的人才團隊,其中不少重心技術人員來自三星、村田、ATC等國際有名企業。公司以其發展前景、民族情懷和實現個人價值的平臺,成功吸引了眾多人才“北上”加...

  • DLC75A7R5BW151NT
    DLC75A7R5BW151NT

    Dalicap電容的封裝工藝極其考究,采用氣密性陶瓷封裝,確保了元件在惡劣環境下的長期穩定性。這種封裝不僅提供了極高的機械強度和抗沖擊能力(可承受高達50G的機械沖擊),還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能,適用于高濕、高鹽霧等苛刻環境,延長了設備的使用壽命。應用領域與市場表現在5G通信基站領域,Dalicap電容的很低ESL/ESR特性能夠為功耗數百瓦的AAU(有源天線單元)和BBU(基帶處理單元)提供瞬時的大電流響應,有效抑制電源噪聲和紋波,為高速SerDes和DSP芯片提供穩定潔凈的電源,是維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)的基石。長壽命設計降低了終端產品的全生命周期維護成本。DLC7...

  • DLC75A6R2DW151NT
    DLC75A6R2DW151NT

    容值穩定性是Dalicap電容的重心優勢之一。其C0G(NP0)介質的電容溫度系數(TCC)低至0±30ppm/°C,在-55°C至+125°C的寬溫范圍內,容值變化率小于±0.5%。同時,容值隨時間的老化率遵循對數定律,每十年變化小于1%,表現出驚人的長期穩定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業控制和基礎設施應用至關重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力,最高工作溫度可達+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質和電極系統在高溫下仍能保持優異的絕緣電阻和容值穩定性,避免了因過熱導致的性能退化。這使得它們能夠直接應用于汽車發動機控制單元(ECU)、航空航天設備的熱敏感區域,簡化了熱管...

  • DLC70B470JW501XT
    DLC70B470JW501XT

    公司產品遠銷美國、日本、英國、法國、德國等40余個國家,服務千余家客戶,成為西門子醫療、通用電氣、安捷倫、飛利浦醫療、三星等全球有名企業的很好供應商。這體現了其產品品質得到了國際市場的寬泛認可。Dalicap電容在高頻諧振電路和濾波器中展現出高Q值(品質因數)特性,通常在數千量級。這使得由其構建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力,振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩定性,提升了系統整體性能。公司投入大量資源進行研發創新,其高Q值、射頻微波多層瓷介電容器項目獲第七屆中國創新創業大賽全國總決賽電子信息行業成長組一等獎,高Q/高功率型多層片式瓷介電容器關鍵技術開發與產業化項目獲遼寧省...

  • DLC70D0R8BW251NT
    DLC70D0R8BW251NT

    Dalicap電容在脈沖形成網絡中承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其低ESR確保了在極短時間內(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,適用于雷達系統。公司構建了完善的營銷和服務網絡,不僅在國內市場深耕,還通過在全球重點區域設立辦事處,提升在國際市場的業務開發能力和客戶服務水平,為全球客戶提供專業的技術支持和售后服務。優異的頻率響應特性確保了電容在寬頻帶內保持穩定的容值,其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段衰減也微乎其微,這對于軟件定義無線電(SDR)等寬帶應用至關重要。具備優異的高溫性能,可在105℃高溫下長時間穩定工作。DLC70D...

  • DLC70E3R0BW362XT
    DLC70E3R0BW362XT

    Dalicap電容的微型化能力突出,其0402、0201等超小尺寸封裝滿足了現代消費電子、可穿戴設備及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的追求,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。產品具有很好的抗老化特性,其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律,確保了設備在十年甚至二十年的使用壽命內關鍵電路參數的穩定。完全無壓電效應的特性使其區別于許多II類陶瓷電容。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,從而徹底避免了因振動或電壓變化而產生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機械噪聲,適合高保真音頻應用。高可靠性設計使其成為醫...

  • DLC70B510GW501XT
    DLC70B510GW501XT

    通過半導體級的精密制造工藝,Dalicap實現了對介質層厚度和電極結構的納米級控制。其介質薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言,確保了系統性能的均一與穩定,減少了后期校準的復雜度。高耐壓能力是Dalicap產品的另一亮點。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩健的耐壓性能,使其在工業電機驅動、新能源汽車電控系統、醫療X光設備等高能應用中,成為保障系統安全、防止...

  • DLC10B2R0BW501XT
    DLC10B2R0BW501XT

    在阻抗匹配網絡中,Dalicap電容的高精度和穩定性直接決定了功率傳輸效率。其微小的容值公差(可至±0.1pF)和近乎為零的溫度系數,確保了匹配網絡參數的精確性和環境適應性,優化了天線駐波比和功放效率。Dalicap電容符合RoHS和REACH等環保法規,其生產流程綠色化,產品不含鉛、汞、鎘等有害物質。這不僅滿足了全球市場的準入要求,也體現了公司對社會可持續發展和環境保護的責任擔當。公司匯聚了來自三星、村田、ATC和英特爾等世界企業的技術人才,形成了強大的研發團隊。這種人才優勢為公司的持續創新和技術突破提供了不竭動力,奠定了其在行業中的地位。選擇Dalicap電容,就是選擇了品質、可靠與安心。...

  • DLC70B4R3CW501XT
    DLC70B4R3CW501XT

    由于產品多用于高級設備,客戶對價格敏感度較低,更看重品質和可靠性,這使得Dalicap保持了較高的毛利率水平。同時,其產品的高可靠性和長壽命明顯降低了客戶系統的全生命周期成本,形成了強大的競爭優勢。公司具備寬泛的資質,如《裝備承制單位資格證書》、《武器裝備科研生產備案憑證》和《二級保密資格單位證書》等。這為其深入參與裝備建設,在高Q值、射頻微波片式瓷介電容器領域獲取更多份額提供了通行證。當前國產化替代浪潮為Dalic普提供了歷史性機遇。隨著國內電子產業鏈對供應鏈安全可控的重視程度日益提高,其國產化優勢得到進一步強化,正在加速實現對美國ATC和日本村田等國際巨頭產品的對標和覆蓋。在能源管理系統中...

  • DLC75D470FW251NT
    DLC75D470FW251NT

    Dalicap擁有完善的質量管理體系,自主完成從關鍵材料研發、產品設計、工藝實現到設備保證和產品測試評估的全過程。這種垂直整合能力確保了產品的高可靠性、高功率處理能力和低損耗特性,保證了信號傳輸過程中的低損耗,提升了終端設備的效率。在醫療電子領域,特別是植入式醫療設備中,Dalicap電容的陶瓷氣密封裝具有極高的生物兼容性和惰性,不會與體液發生反應。其很好的長期穩定性和可靠性確保了這些“生命攸關”的設備能在人體內持續穩定工作數十年,避免了因元件失效而需進行高風險手術更換的情況。專為光伏逆變器設計,具備高耐壓和高紋波電流承受能力。DLC75D470FW251NTDalicap作為電容器領域的有名...

  • DLC75B3R9AW501XT
    DLC75B3R9AW501XT

    在脈沖形成網絡中,Dalicap電容承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其高耐壓能力允許存儲高能量,低ESR確保了在極短時間內(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達系統的需求。Dalicap電容的定制化能力強大,可根據客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數和封裝形式的產品。這種“量體裁衣”式的服務解決了客戶在前列產品研發中遇到的特種元件需求,加速了創新技術的商業化進程。通過深耕射頻微波MLCC行業,Dalicap產品型號和性能日臻完善,逐步實現對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產品領域的對標和覆蓋。2022年,其全...

  • DLC70B561FW101XT
    DLC70B561FW101XT

    Dalicap秉承 “重研發、重質量”的經營理念,建立了完善的質量管理體系,自主完成從關鍵材料研發、產品設計、工藝實現到設備保證和產品測試評估的全過程。公司率先在國內建立了全制程高Q電容器生產線,實現了研發、生產、銷售和服務的自主可控,可以根據客戶的不同需求提供工業級以及更高等級的產品。產品通過了嚴峻的環境可靠性測試,包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗,能夠承受高達20000g的機械沖擊和強烈的振動。這種“級”的品質,使其在關乎生命安全的醫療植入設備、關乎任務成敗的航天衛星以及惡劣的工業環境中,成為工程師們的優先。內部結構優化,具有良好的散熱性能和耐久性。D...

  • DLC70A1R1CW151NT
    DLC70A1R1CW151NT

    在脈沖形成網絡中,Dalicap電容承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其高耐壓能力允許存儲高能量,低ESR確保了在極短時間內(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達系統的需求。Dalicap電容的定制化能力強大,可根據客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數和封裝形式的產品。這種“量體裁衣”式的服務解決了客戶在前列產品研發中遇到的特種元件需求,加速了創新技術的商業化進程。通過深耕射頻微波MLCC行業,Dalicap產品型號和性能日臻完善,逐步實現對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產品領域的對標和覆蓋。2022年,其全...

  • DLC75D4R3DW251NT
    DLC75D4R3DW251NT

    Dalicap電容展現出很好的容值穩定性,其采用的C0G(NP0)介質材料具有極低的溫度系數(TCC),典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內,容值變化率通常小于±0.5%。同時,其容值隨時間的老化率遵循對數定律,每十年變化小于1%,表現出驚人的長期穩定性,這對于需要長壽命和高可靠性的工業控制和基礎設施應用尤為重要。高Q值(品質因數)特性是Dalicap電容在射頻電路中的立身之本。其Q值通常在數千量級,遠高于普通MLCC,這使得由其構建的諧振電路和濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力。在基站濾波器、低相位噪聲振蕩器等應用中,高Q值確保了信號的高純凈度和頻...

  • DLC70C161JW252XT
    DLC70C161JW252XT

    Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過獨特的配方和燒結工藝,實現了極高的介電常數和穩定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF,工作電壓可達200V,溫度范圍橫跨-55℃至+125℃,部分產品甚至能在+250℃高溫下穩定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環境的電路需求,為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL) 是Dalicap電容的重點優勢之一。通過三維多層電極設計和優化的內部結構,其ESR值可低至毫歐姆級別,ESL降至pH級別,從而將自諧振頻率(SRF)推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放...

  • DLC75P390GW251NT
    DLC75P390GW251NT

    Dalicap電容的封裝工藝極其考究,采用氣密性陶瓷封裝,確保了元件在惡劣環境下的長期穩定性。這種封裝不僅提供了極高的機械強度和抗沖擊能力(可承受高達50G的機械沖擊),還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能,適用于高濕、高鹽霧等苛刻環境,延長了設備的使用壽命。應用領域與市場表現在5G通信基站領域,Dalicap電容的很低ESL/ESR特性能夠為功耗數百瓦的AAU(有源天線單元)和BBU(基帶處理單元)提供瞬時的大電流響應,有效抑制電源噪聲和紋波,為高速SerDes和DSP芯片提供穩定潔凈的電源,是維持高信噪比(SNR)和低誤碼率(BER)的基石。高可靠性設計使其成為醫療設備電源的優先選擇。DLC75...

  • DLC70G1R2BAR502XC
    DLC70G1R2BAR502XC

    汽車電子化趨勢,尤其是新能源汽車的智能駕駛和電控系統,為Dalicap帶來了新機遇。其產品符合AEC-Q200標準,能夠承受發動機艙的高溫、高濕和振動,應用于電池管理系統(BMS)、車載信息娛樂系統和ADAS(高級駕駛輔助系統)等領域,提供了高可靠性和長壽命。在測試與測量設備中,對元件的精度和穩定性要求極高。Dalicap電容的低噪聲、低DA、高穩定性特性,使其成為高精度示波器、頻譜分析儀和信號發生器中模擬前端和參考電壓源的關鍵元件,保證了測量結果的準確性和可重復性。選用很好的材料和先進工藝,確保每顆電容性能持久穩定。DLC70G1R2BAR502XC對于工業激光器與半導體設備,Dalicap...

  • DLC75D1R5BW251NT
    DLC75D1R5BW251NT

    Dalicap電容在工業激光設備中表現出色,其高功率處理能力和穩定性保障了激光器的出光質量和使用壽命。產品廣泛應用于工業加工、醫療美容和科研等領域,得到了設備制造商的高度認可。通過諧振腔法等精密測試手段,Dalicap確保了產品性能參數的準確性和可靠性。其測試能力覆蓋了高頻、高功率、高溫等極端條件,為產品研發和質量控制提供了堅實的數據支撐。Dalicap電容的供貨保障能力強,能夠應對大批量產品交付或交貨期要求高的訂單。公司采用以銷定產和備貨式生產相結合的生產模式,提高了產能利用效率和供貨及時性,滿足了客戶的緊急需求。在高頻環境下仍能保持優良的電性能表現。DLC75D1R5BW251NT低ESR...

  • DLC70B392GW101XT
    DLC70B392GW101XT

    在脈沖形成網絡中,Dalicap電容承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其高耐壓能力允許存儲高能量,低ESR確保了在極短時間內(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達系統的需求。Dalicap電容的定制化能力強大,可根據客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數和封裝形式的產品。這種“量體裁衣”式的服務解決了客戶在前列產品研發中遇到的特種元件需求,加速了創新技術的商業化進程。通過深耕射頻微波MLCC行業,Dalicap產品型號和性能日臻完善,逐步實現對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產品領域的對標和覆蓋。2022年,其全...

  • DLC75B220FW501XT
    DLC75B220FW501XT

    通過半導體級的精密制造工藝,Dalicap實現了對介質層厚度和電極結構的納米級控制。其介質薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言,確保了系統性能的均一與穩定,減少了后期校準的復雜度。高耐壓能力是Dalicap產品的另一亮點。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩健的耐壓性能,使其在工業電機驅動、新能源汽車電控系統、醫療X光設備等高能應用中,成為保障系統安全、防止...

  • DLC75D390FW251NT
    DLC75D390FW251NT

    電動汽車的OBC(車載充電機)、DC-DC轉換器和充電樁都充滿了Dalicap電容的身影。在這些應用中,電容器需在緊湊空間內處理高電壓、大電流,并承受劇烈的溫度變化和振動。Dalicap的汽車級電容采用特殊結構和材料,滿足AEC-Q200等車規認證,具有更高的振動耐受性和更寬的工作溫度范圍(如-40℃至125℃)。它們確保了電能的高效、安全轉換與傳輸,是保障電動汽車動力系統和充電基礎設施可靠性的基石。從智能音箱、路由器到游戲主機,消費電子產品追求更小體積和更強功能。Dalicap提供的小型化、高容值電容,完美解決了空間受限與性能需求之間的矛盾。通過先進的材料技術和制造工藝,在保持低ESR、高可...

  • DLC70G8R2BAR502XC
    DLC70G8R2BAR502XC

    通過半導體級的精密制造工藝,Dalicap實現了對介質層厚度和電極結構的納米級控制。其介質薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言,確保了系統性能的均一與穩定,減少了后期校準的復雜度。高耐壓能力是Dalicap產品的另一亮點。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩健的耐壓性能,使其在工業電機驅動、新能源汽車電控系統、醫療X光設備等高能應用中,成為保障系統安全、防止...

  • DLC70C0R6BW252XT
    DLC70C0R6BW252XT

    Dalicap積極推行數字化和精益管理。通過重新規劃信息化系統架構,搭建數據中心及數據安全系統,提高了生產運營管理的效率和內部控制制度的有效性。同時鼓勵全員參與改善提案,持續優化生產工藝,降低浪費,提升效率和質量。綜合競爭力與未來發展Dalicap的核心競爭力體現在其深厚的技術壁壘上。公司擁有33項(其中發明專利11項)和12項軟件著作權,并多次獲得中國創新創業大賽一等獎、遼寧省科技進步二等獎等重要獎項,展現了強大的創新和創造能力。其電容在工業自動化設備中提供高效的電源濾波和能量緩沖。DLC70C0R6BW252XT公司擁有完善的產品研發生產資質,如《裝備承制單位資格證書》、《武器裝備科研生產...

  • DLC75B390GW501XT
    DLC75B390GW501XT

    Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣,從低壓幾伏特到高壓數千伏特,能滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW),保障了工業電機驅動和新能源汽車電控系統等高壓應用的安全。在微型化方面,Dalicap提供了0402(1.0mm x 0.5mm)、0201(0.6mm x 0.3mm)等超小尺寸封裝,滿足現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的很好追求。盡管體積微小,但其性能并未妥協,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。為家用電器提...

  • DLC70E470GW362XT
    DLC70E470GW362XT

    Dalicap電容在脈沖形成網絡中承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其低ESR確保了在極短時間內(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,適用于雷達系統。公司構建了完善的營銷和服務網絡,不僅在國內市場深耕,還通過在全球重點區域設立辦事處,提升在國際市場的業務開發能力和客戶服務水平,為全球客戶提供專業的技術支持和售后服務。優異的頻率響應特性確保了電容在寬頻帶內保持穩定的容值,其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段衰減也微乎其微,這對于軟件定義無線電(SDR)等寬帶應用至關重要。持續的技術創新確保其產品性能處于行業頭部水平。DLC70E470G...

  • DLC70B2R7BW152XT
    DLC70B2R7BW152XT

    在高級音頻設備中,電容的選擇直接影響音質表現。Dalicap電容雖然以鋁電解電容見長,但其在音頻電路電源濾波部分的應用同樣關鍵。低ESR特性有助于提供充沛且純凈的電流,低漏電流保證了信號的準確還原,而良好的頻率特性則有助于展現音樂的細節和動態。設計師會精心挑選不同系列的Dalicap電容,用于前置放大器、功率放大器等不同部位,以追求更低的底噪和更出色的聽感。在PFC電路中,電容器主要用于緩沖和存儲能量,幫助整形輸入電流波形,使其與電壓波形同相,從而提高功率因數,減少對電網的諧波污染。Dalicap為此應用開發的電容,具有高耐壓、高紋波電流、高可靠性等特點,能承受PFC電路中的高頻(通常幾十kH...

  • DLC70G151FAR502XC
    DLC70G151FAR502XC

    Dalicap電容實現了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數介質材料和增加疊層數量,其在單位體積內存儲的電荷量明顯提升,同時通過復雜的材料改性技術保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設計者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍。優異的頻率響應特性確保了Dalicap電容在寬頻帶內保持穩定的容值。其容值對頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段衰減也微乎其微。這一特性對于軟件定義無線電(SDR)、電子戰(EW)系統中的寬帶濾波器和匹配網絡至關重要,保證了系統在整個工作頻帶內的一致性能。在高頻環境下仍能保持優良的電性能表現。DLC70G151FAR502XCDalicap電容的封裝工藝極...

  • DLC70G100JAR802XC
    DLC70G100JAR802XC

    產品具備出色的高頻特性,其損耗角正切值(Dissipation Factor, DF)低于0.1%至2.5%,在高頻范圍內仍能保持低能耗和高效率。這一特性在5G基站、雷達系統和高速通信設備中尤為重要,確保了信號傳輸的純凈性和整體系統的能效,同時低損耗也意味著自身發熱少,避免了熱失控風險。Dalicap電容擁有很好的直流偏壓特性,其容值對施加的直流電壓敏感性極低。在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規X7R/X5R類電容,變化率通常小于5%。這一特性對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關重要,確保了電源環路在不同負載下的穩定性,避免了因容值變化而引發的振蕩問題。低ESR特性有效減少自身發熱,明顯提...

  • DLC70A681FW101XT
    DLC70A681FW101XT

    通過半導體級的精密制造工藝,Dalicap實現了對介質層厚度和電極結構的納米級控制。其介質薄膜厚度控制在±0.2微米,疊層精度控制在±5微米,保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言,確保了系統性能的均一與穩定,減少了后期校準的復雜度。高耐壓能力是Dalicap產品的另一亮點。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理,有效消除了電場集中效應,從而顯著提高了直流擊穿電壓(DWV)和交流擊穿電壓(ACW)。這種穩健的耐壓性能,使其在工業電機驅動、新能源汽車電控系統、醫療X光設備等高能應用中,成為保障系統安全、防止...

  • DLC75B0R3CW501XT
    DLC75B0R3CW501XT

    面對蓬勃發展的物聯網(IoT)和邊緣計算,Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節點和通信模塊節省了寶貴空間,低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命,而高穩定性則確保了設備在各種環境下的長期可靠運行。創新研發與智能制造Dalicap始終堅持強大度的研發投入,至2019年累計投入已超5000萬元,并連續多年保持增長。通過深反應離子刻蝕(DRIE)、原子層沉積(ALD)等半導體前列工藝,實現了電容內部三維微結構的精確控制和超薄介質層的制備,構筑了堅實的技術壁壘。低ESR特性有效減少自身發熱,明顯提升電源轉換效率。DLC75B0R3CW501XT...

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