與傳統(tǒng)電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優(yōu)勢(shì)。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過(guò)幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量?jī)?chǔ)能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達(dá)GHz級(jí)別。此外,ML...
Dalicap電容在軌道交通信號(hào)設(shè)備領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用,其高可靠性和穩(wěn)定性保障了信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和列車(chē)運(yùn)行的安全。公司是中國(guó)通號(hào)的射頻微波MLCC供應(yīng)商,產(chǎn)品應(yīng)用于高速鐵路的控制系統(tǒng)和通信系統(tǒng)中。通過(guò)引入精益管理理念,Dalicap不僅在產(chǎn)品上精益求精,還在生...
在現(xiàn)代高速數(shù)字集成電路(如CPU, GPU, FPGA)中,時(shí)鐘頻率高達(dá)數(shù)GHz,電流切換速率極快(納秒甚至皮秒級(jí)),會(huì)產(chǎn)生極其豐富的高次諧波噪聲。同時(shí),芯片內(nèi)核電壓不斷降低(<1V),而對(duì)噪聲的容限也隨之變小。這意味著電源軌上任何微小的電壓波動(dòng)(電源噪聲)都...
Dalicap擁有完善的質(zhì)量管理體系,自主完成從關(guān)鍵材料研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、工藝實(shí)現(xiàn)到設(shè)備保證和產(chǎn)品測(cè)試評(píng)估的全過(guò)程。這種垂直整合能力確保了產(chǎn)品的高可靠性、高功率處理能力和低損耗特性,保證了信號(hào)傳輸過(guò)程中的低損耗,提升了終端設(shè)備的效率。在醫(yī)療電子領(lǐng)域,特別是植入式...
Dalicap電容在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中承擔(dān)著儲(chǔ)能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其低ESR確保了在極短時(shí)間內(nèi)(微秒或納秒級(jí))能夠釋放出巨大的峰值電流,而低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,適用于雷達(dá)系統(tǒng)。公司構(gòu)建了完善的營(yíng)銷(xiāo)和服務(wù)網(wǎng)絡(luò),不僅在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)深耕,還通過(guò)在...
Dalicap電容通過(guò)了很全的可靠性測(cè)試,包括MIL-STD-202等標(biāo)準(zhǔn)下的溫度循環(huán)、機(jī)械沖擊、振動(dòng)、耐濕等測(cè)試。其產(chǎn)品符合AEC-Q200汽車(chē)電子標(biāo)準(zhǔn),能夠承受汽車(chē)環(huán)境的嚴(yán)苛要求,如高溫、高濕和振動(dòng),適用于發(fā)動(dòng)機(jī)ECU電源濾波、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)和ADAS等...
設(shè)計(jì)完成后,必須對(duì)實(shí)際的PCB進(jìn)行測(cè)量驗(yàn)證。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)是測(cè)量電容器及其網(wǎng)絡(luò)阻抗特性的關(guān)鍵工具。通過(guò)單端口測(cè)量,可以獲取電容器的S11參數(shù),并將其轉(zhuǎn)換為阻抗隨頻率變化的曲線(Zvs.f),從而直觀地看到其自諧振頻率、小阻抗點(diǎn)以及在高頻下的表現(xiàn)。對(duì)于...
Dalicap電容在工業(yè)激光設(shè)備中表現(xiàn)出色,其高功率處理能力和穩(wěn)定性保障了激光器的出光質(zhì)量和使用壽命。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療美容和科研等領(lǐng)域,得到了設(shè)備制造商的高度認(rèn)可。通過(guò)諧振腔法等精密測(cè)試手段,Dalicap確保了產(chǎn)品性能參數(shù)的準(zhǔn)確性和可靠性。其測(cè)試...
高超的絕緣電阻(IR) 是Dalicap電容很好的的體現(xiàn)。其IR值通常高達(dá)10^4兆歐姆·微法甚至更高,意味著在直流電路中的漏電流極小。這在高壓電源的濾波、采樣保持電路的能量保持以及高阻抗傳感器的信號(hào)讀取電路中至關(guān)重要,微小的漏電流即可導(dǎo)致明顯的測(cè)量誤差或電路...
即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會(huì)引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來(lái)自電容焊盤(pán)到電源/地平面之間的過(guò)孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個(gè)緊鄰的、低電感的過(guò)孔(...
單一電容器無(wú)法在超寬頻帶內(nèi)始終保持低阻抗。因此,在實(shí)際電路中,需要構(gòu)建一個(gè)由多個(gè)不同容值電容器組成的退耦網(wǎng)絡(luò)。小容量電容(如0.1μF, 0.01μF, 1000pF, 100pF)擁有較高的自諧振頻率,負(fù)責(zé)濾除中高頻噪聲;而大容量電容(如10μF, 47μF...
5G通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用5G技術(shù)推動(dòng)了對(duì)超寬帶電容的需求激增。在 Massive MIMO 天線系統(tǒng)中,每個(gè)天線單元都需要的射頻通道,超寬帶電容用于天線調(diào)諧、阻抗匹配和信號(hào)耦合。毫米波頻段的應(yīng)用尤其挑戰(zhàn)性,要求電容在28/39GHz等頻段保持穩(wěn)定性能。新型...
Dalicap電容在5G基站中的應(yīng)用表現(xiàn)很好,其高Q值、低ESR特性顯著提高了信號(hào)放大效率和通信質(zhì)量。在基站功率放大器和濾波器等重心模塊中,有效降低了插入損耗,提高了基站覆蓋范圍和信號(hào)穩(wěn)定性,成為多家5G通信頭部廠商的合格供應(yīng)商。公司建立了全制程高Q電容器生產(chǎn)...
低ESL設(shè)計(jì)是超寬帶電容技術(shù)的重中之重。結(jié)構(gòu)創(chuàng)新包括采用多端電極設(shè)計(jì),如三端電容或帶翼電極電容,將傳統(tǒng)的兩端子“進(jìn)-出”電流路徑,改為“穿心”式或更低回路的路徑,從而抵消磁場(chǎng)、減小凈電感。內(nèi)部電極采用交錯(cuò)堆疊和優(yōu)化布局,盡可能縮短內(nèi)部電流通路。在端電極方面,摒...
極低的損耗角正切值(Dissipation Factor, DF)是Dalicap電容在高頻功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色的關(guān)鍵。其DF值可低至0.1%,意味著電容自身的能量損耗(轉(zhuǎn)化為熱能)極低。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中,這一特性直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率...
超寬帶電容,盡管多是固態(tài)的MLCC,仍需經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的可靠性測(cè)試以確保其長(zhǎng)期穩(wěn)定性。關(guān)鍵測(cè)試包括:高溫高濕負(fù)荷測(cè)試(HAST)、溫度循環(huán)測(cè)試(TCT)、高溫壽命測(cè)試(HTOL)、機(jī)械沖擊和振動(dòng)測(cè)試等。失效模式包括陶瓷介質(zhì)開(kāi)裂(機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致)、電極遷移(高溫高濕下)...
作為醫(yī)療影像設(shè)備(如MRI核磁共振) 的重心供應(yīng)商,其產(chǎn)品的高可靠性、高穩(wěn)定性和生物兼容性得到了GE醫(yī)療、西門(mén)子醫(yī)療、聯(lián)影醫(yī)療等全球巨頭的認(rèn)可。在千萬(wàn)級(jí)別的設(shè)備中,電容器的成本占比雖小,但其品質(zhì)直接決定了整個(gè)設(shè)備的成像質(zhì)量和運(yùn)行穩(wěn)定性,一旦失效將導(dǎo)致巨大的維護(hù)...
超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應(yīng)特性的電子元件,能夠在極寬的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz到數(shù)十GHz)保持穩(wěn)定的電容性能。這種電容器的獨(dú)特之處在于其采用特殊材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了寄生電感和等效串聯(lián)電阻,使它在高頻環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的阻抗特性。與普通電容器相...
在高頻開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用現(xiàn)關(guān)電源朝著高頻化、高效率發(fā)展,這對(duì)輸出濾波電容提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。Dalicap的高頻系列電容,具有極低的ESR和ESL(等效串聯(lián)電感),能夠有效應(yīng)對(duì)數(shù)百kHz甚至MHz級(jí)的開(kāi)關(guān)頻率。它們能快速響應(yīng)負(fù)載的瞬態(tài)變化,平滑輸出電流,抑制電壓尖峰...
在射頻和微波系統(tǒng)中,超寬帶電容的應(yīng)用至關(guān)重要且多樣。它們用于RF模塊的電源退耦,防止功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、混頻器和頻率合成器的噪聲通過(guò)電源線相互串?dāng)_,確保信號(hào)純凈度和系統(tǒng)靈敏度。它們也作為隔直電容(DC Block),在傳輸線中阻斷直流分...
公司擁有完善的產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)資質(zhì),如《裝備承制單位資格證書(shū)》、《武器裝備科研生產(chǎn)備案憑證》和《二級(jí)保密資格單位證書(shū)》等。其產(chǎn)品在設(shè)備領(lǐng)域具有高可靠、定制化能力和生產(chǎn)全流程自主可控等優(yōu)勢(shì),滿足了應(yīng)用的特定需求。Dalicap電容的電介質(zhì)吸收(DA)特性極低,典型值...
在現(xiàn)代高速數(shù)字集成電路(如CPU, GPU, FPGA)中,時(shí)鐘頻率高達(dá)數(shù)GHz,電流切換速率極快(納秒甚至皮秒級(jí)),會(huì)產(chǎn)生極其豐富的高次諧波噪聲。同時(shí),芯片內(nèi)核電壓不斷降低(<1V),而對(duì)噪聲的容限也隨之變小。這意味著電源軌上任何微小的電壓波動(dòng)(電源噪聲)都...
Dalicap電容的封裝工藝極其考究,采用氣密性陶瓷封裝,確保了元件在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。這種封裝不僅提供了極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力(可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊),還具有良好的抗硫化、抗腐蝕性能,適用于高濕、高鹽霧等苛刻環(huán)境,延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。應(yīng)用領(lǐng)...
即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會(huì)引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來(lái)自電容焊盤(pán)到電源/地平面之間的過(guò)孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個(gè)緊鄰的、低電感的過(guò)孔(...
全球主要的被動(dòng)元件供應(yīng)商(如Murata, TDK, Samsung Electro-Mechanics, Taiyo Yuden, AVX)都提供豐富的超寬帶電容產(chǎn)品線。選型時(shí)需綜合考慮:一是頻率范圍和要求阻抗,確定需要的容值和SRF;二是介質(zhì)材料類(lèi)型(CO...
超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應(yīng)特性的電子元件,能夠在極寬的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz到數(shù)十GHz)保持穩(wěn)定的電容性能。這種電容器的獨(dú)特之處在于其采用特殊材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了寄生電感和等效串聯(lián)電阻,使它在高頻環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的阻抗特性。與普通電容器相...
在高頻開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用現(xiàn)關(guān)電源朝著高頻化、高效率發(fā)展,這對(duì)輸出濾波電容提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。Dalicap的高頻系列電容,具有極低的ESR和ESL(等效串聯(lián)電感),能夠有效應(yīng)對(duì)數(shù)百kHz甚至MHz級(jí)的開(kāi)關(guān)頻率。它們能快速響應(yīng)負(fù)載的瞬態(tài)變化,平滑輸出電流,抑制電壓尖峰...
在脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中,Dalicap電容承擔(dān)著儲(chǔ)能和快速放電的關(guān)鍵任務(wù)。其高耐壓能力允許存儲(chǔ)高能量,低ESR確保了在極短時(shí)間內(nèi)(微秒或納秒級(jí))能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達(dá)系統(tǒng)的需求。Dalicap電容的定...
航空航天與電子系統(tǒng)對(duì)超寬帶電容提出了極端可靠性和苛刻環(huán)境適應(yīng)性的要求。這些系統(tǒng)工作環(huán)境惡劣,包括巨大的溫度變化(-55℃至+125℃甚至更寬)、度振動(dòng)、沖擊以及宇宙射線輻射。電容器必須采用高可靠性設(shè)計(jì)、特種介質(zhì)材料和堅(jiān)固封裝,確保性能在壽命期內(nèi)絕不漂移或失效。...
航空航天與電子系統(tǒng)對(duì)超寬帶電容提出了極端可靠性和苛刻環(huán)境適應(yīng)性的要求。這些系統(tǒng)工作環(huán)境惡劣,包括巨大的溫度變化(-55℃至+125℃甚至更寬)、度振動(dòng)、沖擊以及宇宙射線輻射。電容器必須采用高可靠性設(shè)計(jì)、特種介質(zhì)材料和堅(jiān)固封裝,確保性能在壽命期內(nèi)絕不漂移或失效。...