逐次逼近型ADC:逐次逼近型ADC是另一種直接ADC,它也產生一系列比較電壓VR,但與并聯比較型ADC不同,它是逐個產生比較電壓,逐次與輸入電壓分別比較,以逐漸逼近的方式進行模數轉換的。逐次逼近型ADC每次轉換都要逐位比較,需要(n+1)個節拍脈沖才能完成,所...
任正非早就表示:華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機,正在加緊補洞,現在大多數洞已經補好,還有一些比較重要的洞,需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴苛,要補的洞越來越多, [10]余承東是承認,當初只做設計不做生產是個錯誤,除了補洞更要拓展新的領地。華為和合作伙...
當該位的值是“0”時,與地接通;當該位的值是“1”時,與輸出相加母線接通。幾路電流之和經過反饋電阻Rf產生輸出電壓。電壓極性與參考量相反。輸入端的數字量每變化1,*引起輸出相對量變化1/23=1/8,此值稱為數模轉換器的分辨率。位數越多分辨率就越高,轉換的精度...
轉換精度1、分辨率A/D轉換器的分辨率以輸出二進制(或十進制)數的位數來表示。它說明A/D轉換器對輸入信號的分辨能力。從理論上講,n位輸出的A/D轉換器能區分2n個不同等級的輸入模擬電壓,能區分輸入電壓的**小值為滿量程輸入的1/2n。在比較大輸入電壓一定時,...
制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節,其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計,根據設計的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純...
五、按用途分類:集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦(微機)用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種**集成電路。集成電路(IC...
逐次逼近型ADC:逐次逼近型ADC是另一種直接ADC,它也產生一系列比較電壓VR,但與并聯比較型ADC不同,它是逐個產生比較電壓,逐次與輸入電壓分別比較,以逐漸逼近的方式進行模數轉換的。逐次逼近型ADC每次轉換都要逐位比較,需要(n+1)個節拍脈沖才能完成,所...
當D1單獨作用時,T型電阻網絡如圖9-5中的圖(a)所示,其d點左下電路的戴維寧等效如圖9-5中的圖(b)所示。同理,D2單獨作用時d點左下電路的戴維寧等效電源如圖9-5中的圖(c)所示;D3單獨作用時d點左下電路的戴維南等效電源如圖9-5中的圖(d)所示。故...
DAC主要由數字寄存器、模擬電子開關、位權網絡、求和運算放大器和基準電壓源(或恒流源)組成。用存于數字寄存器的數字量的各位數碼,分別控制對應位的模擬電子開關,使數碼為1的位在位權網絡上產生與其位權成正比的電流值,再由運算放大器對各電流值求和,并轉換成電壓值 [...
五、按用途分類:集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦(微機)用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種**集成電路。集成電路(IC...
當該位的值是“0”時,與地接通;當該位的值是“1”時,與輸出相加母線接通。幾路電流之和經過反饋電阻Rf產生輸出電壓。電壓極性與參考量相反。輸入端的數字量每變化1,*引起輸出相對量變化1/23=1/8,此值稱為數模轉換器的分辨率。位數越多分辨率就越高,轉換的精度...
C=0℃至60℃(商業級);I=-20℃至85℃(工業級);E=-40℃至85℃(擴展工業級);A=-40℃至82℃(航空級);M=-55℃至125℃(**級)封裝類型:A—SSOP;B—CERQUAD;C-TO-200,TQFP﹔D—陶瓷銅頂;E—QSOP;...
更為少見的電感結構,可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換,CMOS設備比雙極型組件(如雙極性晶體管)消耗的電流少很多。透過電路的設計,將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上,就可以畫出不同作用的集成電路。隨機存取存儲器是**常見類...
輸入時其輸出值與理想輸出值(滿量程)之間的偏差表示,一般也用LSB的份數或用偏差值相對滿量程的百分數來表示。非線性誤差D/A轉換器的非線性誤差定義為實際轉換特性曲線與理想特性曲線之間的比較大偏差,并以該偏差相對于滿量程的百分數度量。在轉換器電路設計中,一般要求...
工作溫度范圍一般情況下,影響D/A轉換精度的主要環境和工作條件因素是溫度和電源電壓變化。由于工作溫度會對運算放大器加權電阻網絡等產生影響,所以只有在一定的工作范圍內才能保證額定精度指標。較好的D/A轉換器的工作溫度范圍在-40℃~85℃之間,較差的D/A轉換器...
該過程使用了對紫外光敏感的化學物質,即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上***份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀...
晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實現曝光,激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤,即所謂的曝光...
線性誤差線性誤差用來描述當數字量變化時,D/A轉換輸出的電模擬量按比例關系變化的程度。 模擬量輸出偏離理想輸出的最大值稱為線性誤差。溫度系數溫度系數是指在規定的范圍內,溫度每變化1℃增益、線性度、零點及偏移等參數的變化量。溫度系數直接影響轉換精度。 [1]集成...
模擬集成電路有,例如傳感器、電源控制電路和運放,處理模擬信號。完成放大、濾波、解調、混頻的功能等。通過使用**所設計、具有良好特性的模擬集成電路,減輕了電路設計師的重擔,不需凡事再由基礎的一個個晶體管處設計起。集成電路可以把模擬和數字電路集成在一個單芯片上,以...
半導體集成電路工藝,包括以下步驟,并重復使用:光刻刻蝕薄膜(化學氣相沉積或物***相沉積)摻雜(熱擴散或離子注入)化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層,然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件,再利用薄膜...
IC芯片(Integrated Circuit Chip)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上,做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片,相應 IC 芯片生產線由晶圓生產線和封裝生產線兩部分組成。集成電路(integr...
3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態:單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳;SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP...
C=0℃至60℃(商業級);I=-20℃至85℃(工業級);E=-40℃至85℃(擴展工業級);A=-40℃至82℃(航空級);M=-55℃至125℃(**級)封裝類型:A—SSOP;B—CERQUAD;C-TO-200,TQFP﹔D—陶瓷銅頂;E—QSOP;...
2006年,設立“國家重大科技專項”;無錫海力士意法半導體正式投產。2008年,中星微電子手機多媒體芯片全球銷量突破1億枚。2009年,國家“核高基”重大專項進入申報與實施階段。2011年,《關于印發進一步鼓勵軟件產業和繼承電路產業發展若干政策的通知》。 [5...
分辨率分辨率是指D/A轉換器能夠轉換的二進制位數。位數越多,分辨率越高。對一個分辨率為n位的D/A轉換器,能夠分辨的輸入信號為滿量程的1/2n。 [1]例如:8位的D/A轉換器,若電壓滿量程為5V,則能分辨的**小電壓為5V/28≈20mV, 10位的D/A轉...
C=0℃至60℃(商業級);I=-20℃至85℃(工業級);E=-40℃至85℃(擴展工業級);A=-40℃至82℃(航空級);M=-55℃至125℃(**級)封裝類型:A—SSOP;B—CERQUAD;C-TO-200,TQFP﹔D—陶瓷銅頂;E—QSOP;...
從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型,但現代集成電路是由杰克·基爾比在1958...
IC芯片(Integrated Circuit Chip)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上,做成一塊芯片。IC芯片包含晶圓芯片和封裝芯片,相應 IC 芯片生產線由晶圓生產線和封裝生產線兩部分組成。集成電路(integr...
晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實現曝光,激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤,即所謂的曝光...
混疊所有的模擬數字轉換器以每隔一定時間進行采樣的形式進行工作。因此,它們的輸出信號只是對輸入信號行為的不完全描述。在某一次采樣和下一次采樣之間的時間段,**根據輸出信號,是無法得知輸入信號的形式的。如果輸入信號以比采樣率低的速率變化,那么可以假定這兩次采樣之間...