晶圓測試經過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本就會越低，這也是為什么主流芯片器件造價低的一個因素。封裝將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等**因素來決定的。超大規模集成電路（VLSI英文全名為Very large scale integration）邏輯門1,001~10k個或 晶體管10,001~100k個。浦東新區優勢電阻芯片量大從優

半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成浦東新區優勢電阻芯片量大從優集成電路可以把模擬和數字電路集成在一個單芯片上，以做出如模擬數字轉換器和數字模擬轉換器等器件。

2006年，設立“國家重大科技專項”；無錫海力士意法半導體正式投產。2008年，中星微電子手機多媒體芯片全球銷量突破1億枚。2009年，國家“核高基”重大專項進入申報與實施階段。2011年，《關于印發進一步鼓勵軟件產業和繼承電路產業發展若干政策的通知》。 [5]2012年-2019年高質量發展期2012年，《集成電路產業“十二五”發展規劃》發布；韓國三星70億美元一期投資閃存芯片項目落戶西安。2013年，紫光收購展訊通信、銳迪科；大陸IC設計公司進入10億美元俱樂部。

3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態:單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳；SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP:芯片尺寸封裝QFP: 四邊扁平封裝 PGA:點陣式封裝 BGA:球柵陣列式封裝LCCC: 無引線陶瓷芯片載體芯片是一種集成電路，由大量的晶體管構成。不同的芯片有不同的集成規模，大到幾億；小到幾十、幾百個晶體管。晶體管有兩種狀態，開和關，用1、0來表示。多個晶體管產生的多個1與0的信號，這些信號被設定成特定的功能（即指令和數據），來表示或處理字母、數字、顏色和圖形等。芯片加電以后，首先產生一個啟動指令，來啟動芯片，以后就不斷接受新指令和數據，來完成功能。極大規模集成電路（ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration）邏輯門10,001~1M個或 晶體管100,001~10M個。

74系列是標準的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來看看不出是什么公司的產品。不同公司會在74前面加前綴，例如SN74LS00等。相關拓展一個完整的IC型號一般都至少必須包含以下四個部分:前綴（首標）-----很多可以推測是哪家公司產品。器件名稱----一般可以推斷產品的功能（memory可以得知其容量）。溫度等級-----區分商業級，工業級，軍級等。一般情況下，C表示民用級，Ⅰ表示工業級，E表示擴展工業級，A表示航空級，M表示**級。完成放大、濾波、解調、混頻的功能等。徐匯區智能電阻芯片私人定做

小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個以下或晶體管100個以下。浦東新區優勢電阻芯片量大從優

一、根據一個芯片上集成的微電子器件的數量，集成電路可以分為以下幾類：小型集成電路（SSI英文全名為Small Scale Integration）邏輯門10個以下或 晶體管100個以下。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integration）邏輯門11~100個或 晶體管101~1k個。大規模集成電路（LSI英文全名為Large Scale Integration）邏輯門101~1k個或 晶體管1,001~10k個。超大規模集成電路（VLSI英文全名為Very large scale integration）邏輯門1,001~10k個或 晶體管10,001~100k個。浦東新區優勢電阻芯片量大從優

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