集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數(shù)字，可以分為：模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號(hào)集成電路（模擬和數(shù)字在一個(gè)芯片上）。數(shù)字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬(wàn)的邏輯門(mén)、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路。這些電路的小尺寸使得與板級(jí)集成相比，有更高速度，更低功耗（參見(jiàn)低功耗設(shè)計(jì)）并降低了制造成本。這些數(shù)字IC，以微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器和微控制器為**，工作中使用二進(jìn)制，處理1和0信號(hào)。超大規(guī)模集成電路（VLSI英文全名為Very large scale integration）邏輯門(mén)1,001~10k個(gè)或 晶體管10,001~100k個(gè)。徐匯區(qū)質(zhì)量電阻芯片工廠直銷

從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner Jacobi）、杰弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·達(dá)林頓（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都開(kāi)發(fā)了原型，但現(xiàn)代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發(fā)明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎(jiǎng)，但同時(shí)間也發(fā)展出近代實(shí)用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早于1990年就過(guò)世。晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后，各式固態(tài)半導(dǎo)體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步，使得集成電路成為可能。相對(duì)于手工組裝電路使用個(gè)別的分立電子組件，集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個(gè)小芯片，是一個(gè)巨大的進(jìn)步。集成電路的規(guī)模生產(chǎn)能力，可靠性，電路設(shè)計(jì)的模塊化方法確保了快速采用標(biāo)準(zhǔn)化集成電路代替了設(shè)計(jì)使用離散晶體管。靜安區(qū)質(zhì)量電阻芯片銷售廠在一個(gè)自排列（CMOS）過(guò)程中，所有門(mén)層（多晶硅或金屬）穿過(guò)擴(kuò)散層的地方形成晶體管。

1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國(guó)***條5英寸線。1993年，***塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國(guó)***條6英寸線。1995年，***決定繼續(xù)實(shí)施集成電路專項(xiàng)工程（“909”工程），集中建設(shè)我國(guó)***條8英寸生產(chǎn)線。1996年，英特爾公司投資在上海建設(shè)封測(cè)廠。1997年，由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司，主要承擔(dān)“909”主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。

第二層次:將數(shù)個(gè)第-層次完成的封裝與其他電子元器件組成- -個(gè)電路卡的工藝。第三層次:將數(shù)個(gè)第二層次完成的封裝組裝的電路卡組合成在一個(gè)主電路板上使之成為一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝。第四層次:將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成為一個(gè)完整電子產(chǎn)品的工藝過(guò)程。在芯片.上的集成電路元器件間的連線工藝也稱為零級(jí)層次的封裝，因此封裝工程也可以用五個(gè)層次區(qū)分。封裝的分類1、按封裝集成電路芯片的數(shù)目:單芯片封裝(scP)和多芯片封裝(MCP)；2、按密封材料區(qū)分:高分子材料(塑料)和陶瓷；光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。

晶體管發(fā)明并大量生產(chǎn)之后，各式固態(tài)半導(dǎo)體組件如二極管、晶體管等大量使用，取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀(jì)中后期半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)步，使得集成電路成為可能。相對(duì)于手工組裝電路使用個(gè)別的分立電子組件，集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個(gè)小芯片，是一個(gè)巨大的進(jìn)步。集成電路的規(guī)模生產(chǎn)能力，可靠性，電路設(shè)計(jì)的模塊化方法確保了快速采用標(biāo)準(zhǔn)化集成電路代替了設(shè)計(jì)使用離散晶體管—分立晶體管。集成電路對(duì)于離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過(guò)照相平版技術(shù)，作為一個(gè)單位印刷，而不是在一個(gè)時(shí)間只制作一個(gè)晶體管。性能高是由于組件快速開(kāi)關(guān)，消耗更低能量，因?yàn)榻M件很小且彼此靠近。2006年，芯片面積從幾平方毫米到350 mm2，每mm2可以達(dá)到一百萬(wàn)個(gè)晶體管。***個(gè)集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中包括一個(gè)雙極性晶體管，三個(gè)電阻和一個(gè)電容器，相較于現(xiàn)今科技的尺寸來(lái)講，體積相當(dāng)龐大。GLSI（英文全名為Giga Scale Integration）邏輯門(mén)1,000,001個(gè)以上或晶體管10,000,001個(gè)以上。普陀區(qū)通用電阻芯片批量定制

另有一種厚膜集成電路是由半導(dǎo)體設(shè)備和被動(dòng)組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。徐匯區(qū)質(zhì)量電阻芯片工廠直銷

管腳數(shù):A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28 ；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圓形)﹔ W—10(圓形)﹔X—36；Y—8(圓形)﹔Z—10(圓形)。注:接口類產(chǎn)品四個(gè)字母后綴的***個(gè)字母是E，則表示該器件具備抗靜電功能**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝，這種封裝很多年來(lái)因?yàn)榭煽啃院托〕叽缋^續(xù)被軍方使用。商用電路封裝很快轉(zhuǎn)變到雙列直插封裝，開(kāi)始是陶瓷，之后是塑料。20世紀(jì)80年代，VLSI電路的針腳超過(guò)了DIP封裝的應(yīng)用限制，***導(dǎo)致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。徐匯區(qū)質(zhì)量電阻芯片工廠直銷

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