1982年，江蘇無錫724廠從東芝引進電視機集成電路生產線，這是**次從國外引進集成電路技術；***成立電子計算機和大規模集成電路領導小組，制定了中國IC發展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業進行技術改造。1985年，***塊64K DRAM 在無錫國營724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國***條4英寸線。1989年，機電部在無錫召開“八五”集成電路發展戰略研討會，提出振興集成電路的發展戰略；724廠和永川半導體研究所無錫分所合并成立了中國華晶電子集團公司。 [5]1990-2000年 重點建設期1990年，***決定實施“908”工程。集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的，其中包括一個雙極性晶體管，三個電阻和一個電容器。閔行區通用電阻芯片推薦貨源

3、按器件與電路板互連方式:引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)4、按引腳分布形態:單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳和底部引腳；SMT器件有L型、J型、I型的金屬引腳。SIP :單列式封裝 SQP:小型化封裝 MCP:金屬罐式封裝 DIP:雙列式封裝 CSP:芯片尺寸封裝QFP: 四邊扁平封裝 PGA:點陣式封裝 BGA:球柵陣列式封裝LCCC: 無引線陶瓷芯片載體芯片是一種集成電路，由大量的晶體管構成。不同的芯片有不同的集成規模，大到幾億；小到幾十、幾百個晶體管。晶體管有兩種狀態，開和關，用1、0來表示。多個晶體管產生的多個1與0的信號，這些信號被設定成特定的功能（即指令和數據），來表示或處理字母、數字、顏色和圖形等。芯片加電以后，首先產生一個啟動指令，來啟動芯片，以后就不斷接受新指令和數據，來完成功能。上海智能電阻芯片量大從優創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。

靜態電流診斷技術的**是將待測電路處于穩定運行狀態下的電源電流與預先設定的閾值進行比較，來判定待測電路是否存在故障。可見，閾值的選取便是決定此方法檢測率高低的關鍵。早期的靜態電流診斷技術采用的固定閾值，然而固定的閾值并不能適應集成電路芯片向深亞微米的發展。于是，后人在靜態電流檢測方法上進行了不斷的改進，相繼提出了差分靜態電流檢測技術，電流比率診斷方法，基于聚類技術的靜態電流檢測技術等。動態電流診斷技術于 90 年代問世。動態電流能夠直接反應電路在進行狀態轉換時，其內部電壓的切換頻繁程度。基于動態電流的檢測技術可以檢測出之前兩類方法所不能檢測出的故障，進一步擴大故障覆蓋范圍。隨著智能化技術的發展與逐漸成熟，集成電路芯片故障檢測技術也朝著智能化的趨勢前進 [2]。

極大規模集成電路（ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration）邏輯門10,001~1M個或 晶體管100,001~10M個。GLSI（英文全名為Giga Scale Integration）邏輯門1,000,001個以上或晶體管10,000,001個以上。二、按功能結構分類：集成電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類。三、按制作工藝分類：集成電路按制作工藝可分為單片集成電路和混合集成電路，混合集成電路有分為厚膜集成電路和薄膜集成電路。四、按導電類型不同分類：集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路和單極型集成電路。雙極型集成電路的制作工藝復雜，功耗較大，**集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單極型集成電路的制作工藝簡單，功耗也較低，易于制成大規模集成電路，**集成電路有CMOS、NMOS、PMOS等類型。中型集成電路（MSI英文全名為Medium Scale Integration）邏輯門11~100個或 晶體管101~1k個。

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了，單位成本和開關功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC也存在問題，主要是泄漏電流。因此，對于**終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進芯片結構的尖銳挑戰。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在半導體國際技術路線圖中有很好的描述。**在其開發后半個世紀，集成電路變得無處不在，計算機、手機和其他數字電器成為社會結構不可缺少的一部分。這是因為，現代計算、交流、制造和交通系統，包括互聯網，全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學者認為由集成電路帶來的數字**是人類歷史中**重要的事件。IC的成熟將會帶來科技的***，不止是在設計的技術上，還有半導體的工藝突破，兩者都是必須的一環。 [1]電容結構，由于尺寸限制，在IC上只能產生很小的電容。閔行區通用電阻芯片推薦貨源

雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的產品上，每個集成電路的成本小化。閔行區通用電阻芯片推薦貨源

晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1 [2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現曝光，激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學反應更充分。***，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的，曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯機作業的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環境中，以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響 [2]。閔行區通用電阻芯片推薦貨源

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