汽車電子系統(tǒng)劃分：汽車電子產(chǎn)品可分為兩大類：1.汽車電子控制裝置,包括動(dòng)力總成控制、底盤(pán)和車身電子控制、舒適和防盜系統(tǒng)。2.車載汽車電子裝置,包括汽車信息系統(tǒng)(車載電腦)、汽車胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、汽車視聽(tīng)娛樂(lè)系統(tǒng)、車載通信系統(tǒng)、車載網(wǎng)絡(luò)、倒車影像后視系統(tǒng)、車載領(lǐng)航員后視攝像頭等。深圳市寶能達(dá)科技發(fā)展有限公司是一家專業(yè)IC芯片代理和分銷的混合經(jīng)銷商,公司專注于POE芯片國(guó)產(chǎn)替代,推出國(guó)產(chǎn)PIN對(duì)TPS23754,TPS23756,TPS23753,MAX5969,MP8001,MP8003,MP8004,MP8007,TPS2378以太網(wǎng)供電（PoE）控制器.專業(yè)FAE支持,供應(yīng)保障；如MP8001/MP8001A是（PD）控制器。它們提供檢測(cè)和分類模式,100V耐壓的開(kāi)關(guān)管,該設(shè)備在指定溫度范圍內(nèi)具有溫度補(bǔ)償電流限制。它內(nèi)置熱保護(hù)功能,以保護(hù)器件不受瞬態(tài)和/或過(guò)載條件影響；它會(huì)根據(jù)特定的故障條件關(guān)閉器件,并保護(hù)輸入源以及輸出負(fù)載。該器件還提供浪涌電流限制功能。它可以為輸入電容器緩慢充電,而不會(huì)因芯片過(guò)熱而中斷；這種中斷通常是由于沒(méi)有電流限制折返功能造成的.隨著中國(guó)汽車業(yè)的迅速發(fā)展,目前我國(guó)汽車電子業(yè)呈現(xiàn)出七大發(fā)展特點(diǎn)：一、汽車工業(yè)正處于科技創(chuàng)新時(shí)代,傳統(tǒng)機(jī)電產(chǎn)品成為高新技術(shù)產(chǎn)品。電平轉(zhuǎn)換電路江蘇潤(rùn)石電平轉(zhuǎn)換芯片國(guó)產(chǎn)替代。江門(mén)智能家居系統(tǒng)芯片潤(rùn)石芯片供應(yīng)商

    汽車電子動(dòng)力總成DC/DC轉(zhuǎn)換器介紹：DC/DC轉(zhuǎn)換器是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中的重要部分，其有兩類重要功用：一、為動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、空調(diào)及其他輔助設(shè)備提供電力。二、在復(fù)合電源系統(tǒng)中與超級(jí)電容串聯(lián)，起到調(diào)節(jié)電源輸出，穩(wěn)定母線電壓的作用。在汽車電子電氣系統(tǒng)中，由總線連接控制單元、電池管理單元、電機(jī)、電機(jī)控制器、變速器、動(dòng)力電池組、數(shù)字儀表和DC/DC轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器是利用電感、電容的儲(chǔ)能特性，通過(guò)可控開(kāi)關(guān)(場(chǎng)效應(yīng)管等)進(jìn)行高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作，將輸入電能儲(chǔ)存在電容/電感里。在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，再釋放出來(lái)為負(fù)載提供電能。由于汽車電子元器件多使用低壓直流電源，所以采用DC/DC轉(zhuǎn)換器（又稱直流電源轉(zhuǎn)換模塊），將動(dòng)力電池組幾百伏的直流電壓轉(zhuǎn)換為低壓直流恒壓電源，供車輛電器使用。其必須具備體積小、效率高、可靠性高、耐受惡劣環(huán)境（如溫度較大范圍波動(dòng)）等特點(diǎn)。汽車電子：運(yùn)算放大器、比較器、模擬開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換器、邏輯芯片。 江門(mén)智能家居系統(tǒng)芯片潤(rùn)石芯片供應(yīng)商江蘇潤(rùn)石國(guó)產(chǎn)芯片工控設(shè)備電平轉(zhuǎn)換芯片國(guó)產(chǎn)替換。

    國(guó)產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片介紹：常見(jiàn)接口和使用江蘇潤(rùn)石RS020x/RSxTx45系列實(shí)現(xiàn)--1、通用輸入輸出口（GPIO）：所有微處理器都具有用于與外設(shè)進(jìn)行通信的通用輸入輸出(GPIO)端口。然而，內(nèi)核和外設(shè)芯片可能在不同的電壓電平下工作，這就是系統(tǒng)需要電平轉(zhuǎn)換器的原因。如果所需的信號(hào)沒(méi)有轉(zhuǎn)入微處理器的工作電壓，就會(huì)影響通信的可靠性。RS1T45可作為I/O電路的一部分來(lái)實(shí)現(xiàn)，尤其是在單通道信號(hào)（例如控制輸入）中。RS1T45為電壓轉(zhuǎn)換I/O引腳提供了解決方案，例如以下引腳：（1）使能。（2）重啟。（3）時(shí)鐘緩沖。（4）電源正常狀態(tài)。(5）錯(cuò)誤標(biāo)志。(6）復(fù)位。(7）存儲(chǔ)器錯(cuò)誤。(8）處理器過(guò)熱。國(guó)產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片-江蘇潤(rùn)石RS0302替換TI-PCA9306；Nexperia-NCA9306；ON-FXWA9306，NLA9306，PCA9306。汽車電子.電平轉(zhuǎn)換,運(yùn)放,比較器,模擬開(kāi)關(guān),電壓基準(zhǔn)源。

    國(guó)產(chǎn)邏輯電平芯片/電平轉(zhuǎn)換芯片：電平轉(zhuǎn)換實(shí)質(zhì)為電壓的轉(zhuǎn)換。如果不同設(shè)備上電平的電壓規(guī)格不同，彼此之間是無(wú)法直通電平信號(hào)的。也就是說(shuō)，當(dāng)兩個(gè)或以上的電子設(shè)備之間需要進(jìn)行通信，但各自電壓規(guī)格卻不同時(shí)，就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。A.電平轉(zhuǎn)換電路有哪些模式？①限流電阻電平轉(zhuǎn)換。②電阻分壓電平轉(zhuǎn)換。③晶體管電平轉(zhuǎn)換。④二極管電平轉(zhuǎn)換。⑤邏輯電平芯片轉(zhuǎn)換。B.電平邏輯傳輸?shù)幕灸Ｊ剑孩偻妷褐g相互傳輸。②低電壓向高電壓傳輸。③高電壓向低電壓傳輸。其中又可分為單向邏輯電平傳輸、雙向邏輯電平傳輸。江蘇潤(rùn)石電平轉(zhuǎn)換芯片國(guó)產(chǎn)替代：潤(rùn)石RS0102替換TI-TXS0102;ON-NLSX4402,NLSX3373,NLSX4373,Nexperia-NXS0102.汽車電子.電平轉(zhuǎn)換,運(yùn)放,比較器,模擬開(kāi)關(guān),電壓基準(zhǔn)源。 空調(diào)解決方案國(guó)產(chǎn)芯片替換。

    怎樣提高汽車電子控制的整體效能？隨著汽車電子化、智能化程度的不斷提高，電控單元（ECU）不斷增多。巨量的控制信號(hào)隨時(shí)需要實(shí)時(shí)交互，因此對(duì)電控系統(tǒng)的效能不斷提出更高的要求。傳統(tǒng)的汽車電子電氣采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的單一通信方式，從而形成了龐大的布線系統(tǒng)。一輛采用傳統(tǒng)布線法的高質(zhì)量汽車中，導(dǎo)線長(zhǎng)度可達(dá)2Km，電氣節(jié)點(diǎn)可達(dá)，且該數(shù)字每10年就增1倍，不斷加劇線纜與空間的矛盾。為滿足汽車電子系統(tǒng)的實(shí)時(shí)電控要求，須對(duì)汽車公共數(shù)據(jù)(如發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速、輪速等)進(jìn)行實(shí)行共享，而每個(gè)電控單元對(duì)實(shí)時(shí)性的要求又各不相同。為讓巨量數(shù)據(jù)在不同的電控單元中交互共享，提高電子信號(hào)的利用率和交互速度，需在汽車電子控制中使用總線技術(shù)。如CAN總線可實(shí)現(xiàn)機(jī)械自動(dòng)變速器AMT和ABS/ASR之間的數(shù)據(jù)共享，其可減少傳感器和連接器等汽車電子元器件，降低成本并提升AMT和ABS/ASR的可靠性。ABS/ASR可向AMT發(fā)出電控信息以優(yōu)化控制；ASR可使AMT避免在低附著路面起步/加速時(shí)反復(fù)換檔。總線技術(shù)可使兩個(gè)控制系統(tǒng)的整體效能比其單一系統(tǒng)效能更加優(yōu)越，達(dá)到1+1>2的效果，并據(jù)此實(shí)現(xiàn)更加復(fù)雜的整車控制。因此總線技術(shù)讓車輛整體效能得以大幅提升。 車身電子照明車身控制模塊BCM汽車電子國(guó)產(chǎn)替換。江門(mén)激光測(cè)距儀芯片潤(rùn)石芯片方案支持

電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)BMS汽車電子國(guó)產(chǎn)替換。江門(mén)智能家居系統(tǒng)芯片潤(rùn)石芯片供應(yīng)商

    汽車電子之高性能碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管新工藝：碳化硅（SiC）是電力電子中重要的半導(dǎo)體材料之一，在汽車電子、電力等領(lǐng)域廣為應(yīng)用。SiCMOSFET的技術(shù)瓶頸是其柵氧層界面質(zhì)量差導(dǎo)致溝道遷移率低。現(xiàn)國(guó)內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)提出一種用低溫超臨界二氧化碳，或超臨界一氧化二氮流體的低溫退火工藝。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的質(zhì)量。通過(guò)增壓，二氧化碳和一氧化二氮在接近室溫時(shí)更容易進(jìn)入超臨界流體狀態(tài)。SCF態(tài)是物質(zhì)的一種特殊相，它具有氣體一樣的高滲能力和液體一樣的高溶度，幾無(wú)表面張力。因此可將SCCO2或SCN2O流體引入界面來(lái)減小陷阱，而不會(huì)造成新的損傷。該研究成果不僅實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量SiO2/SiC界面、高的溝道遷移率和介電可靠性，更可喜的是，其高效低溫退火工藝與標(biāo)準(zhǔn)SiCMOSFET制造工藝兼容，為制備高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件和汽車電子器件的制備。上述研究成果論文在第67屆電氣電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）國(guó)際電子器件會(huì)議上發(fā)表。獲國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金等支持。 江門(mén)智能家居系統(tǒng)芯片潤(rùn)石芯片供應(yīng)商