在接下來的Setup NG Wizard窗口中選擇要參與仿真的信號網絡，為這些信號網絡分組并定義單個或者多個網絡組。選擇網絡DDR1_DMO.3、DDR1_DQO.31、DDR1_DQSO.3、 DDRl_NDQS0-3,并用鼠標右鍵單擊Assign interface菜單項，定義接口名稱為Data,

設置完成后，岀現Setup NG wizard: NG pre-view page窗口，顯示網絡組的信息，如圖 1-137所示。單擊Finish按鈕，網絡組設置完成。

單擊設置走線檢查參數(Setup Trace Check Parameters),在彈出的窗口中做以下設 置：勾選阻抗和耦合系數檢查兩個選項；設置走線耦合百分比為1%，上升時間為lOOps；選 擇對網絡組做走線檢查(Check by NetGroup)；設置交互高亮顯示顏色為白色。 DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？眼圖測試DDR3測試銷售電話

還可以給這個Bus設置一個容易區分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關系設置好了。

重復以上操作，依次創建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節Byte3。

開始創建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對應Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 江西DDR3測試銷售如何進行DDR3內存模塊的熱插拔一致性測試？

那么在下面的仿真分析過程中，我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標準來進行系統設計呢?答案是否定的，因為雖然這個時序是規范中定義的標準，但是在系統實現中，我們所使用的是Micron的產品，而后面系統是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度。所以雖然我們通過閱讀DDR規范文件了解到基本設計要求，但是具體實現的參數指標要以Micron芯片的數據手冊為準。換句話說，DDR的工業規范是芯片制造商Micron所依據的標準，而我們設計系統時，既然使用了Micron的產品，那么系統的性能指標分析就要以Micron的產品為準。所以，接下來的任務就是我們要在Micron的DDR芯片手冊和作為控制器的FPGA數據手冊中，找到類似的DDR規范的設計要求和具體的設計參數。

· 相關器件的應用手冊，ApplicationNote：在這個文檔中，廠家一般會提出一些設計建議，甚至參考設計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。

· 參考設計，ReferenceDesign：對于比較復雜的器件，廠商一般會提供一些參考設計，以幫助使用者盡快實現解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖，用戶可以根據自己的需求進行更改。

· IBIS 文件：這個對高速設計而言是必需的，獲得的方法前面已經講過。 是否可以使用可編程讀寫狀態寄存器（SPD）來執行DDR3一致性測試？

可以通過AllegroSigritySI仿真軟件來仿真CLK信號。

(1)產品選擇：從產品菜單中選擇AllegroSigritySI產品。

(2)在產品選擇界面選項中選擇AllegroSigritySI(forboard)。

(3)在AllegroSigritySI界面中打開DDR_文件。

(4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設置電路板層疊參數。

將DDRController和Memory器件的IBIS模型和文件放在當前DDR_文件的同一目錄下，這樣，工具會自動査找到目錄下的器件模型。 DDR3一致性測試是否對不同廠商的內存模塊有效？眼圖測試DDR3測試HDMI測試

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DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態隨機存取存儲器（DRAM）標準，它定義了數據傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規范中常見的時序要求：

初始時序（Initialization Timing）tRFC：內存行刷新周期，表示在關閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內存行。tRP/tRCD/tRA：行預充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執行讀或寫操作之前需要預充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續時間。tWR：寫入恢復時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數據傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數據到期間延遲，表示內存控制器在發出命令后應該等待多長時間直到數據可用。tDQSCK：數據到時鐘延遲，表示從數據到達內存控制器到時鐘信號的延遲。tWTR/tRTW：不同內存模塊之間傳輸數據所需的小時間，包括列之間的轉換和行之間的轉換。tCL：CAS延遲，即列訪問延遲，表示從命令到讀或寫操作的有效數據出現之間的延遲。刷新時序（Refresh Timing）tRFC：內存行刷新周期，表示多少時間需要刷新一次內存行。 眼圖測試DDR3測試銷售電話