DDR測試

什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態(tài)隨機內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS，存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取。同步動態(tài)隨機內(nèi)存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結(jié)合，RAS、CAS、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據(jù)時鐘指示，可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置。因而，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計性，所以可將內(nèi)存劃分成4個組進行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取。通過突發(fā)模式，可進行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數(shù)據(jù)進行讀取。 DDR在信號測試中解決的問題有那些；上海DDR測試方案商

3.互聯(lián)拓撲對于DDR2和DDR3，其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯(lián)方式，所以不需要任何的拓撲結(jié)構(gòu)，然而例外的是，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設(shè)計中并不是這樣的。在點對點的方式時，可以很容易的通過ODT的阻抗設(shè)置來做到阻抗匹配，從而實現(xiàn)其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號，它們都是需要多點互聯(lián)的，所以需要選擇一個合適的拓撲結(jié)構(gòu)，圖2列出了一些相關(guān)的拓撲結(jié)構(gòu)，其中Fly-By拓撲結(jié)構(gòu)是一種特殊的菊花鏈，它不需要很長的連線，甚至有時不需要短線（Stub）。對于DDR3，這些所有的拓撲結(jié)構(gòu)都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓撲結(jié)構(gòu)在處理噪聲方面，具有很好的波形完整性，然而在一個4層板上很難實現(xiàn)，需要6層板以上，而菊花鏈式拓撲結(jié)構(gòu)在一個4層板上是容易實現(xiàn)的。另外，樹形拓撲結(jié)構(gòu)要求AB的長度和AC的長度非常接近（如圖2）。考慮到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長度，同時又要滿足板層的約束要求，在基于4層板的DDR3設(shè)計中，合理的拓撲結(jié)構(gòu)就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈式拓撲結(jié)構(gòu)。上海DDR測試方案商DDR3關(guān)于信號建立保持是的定義；

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主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對發(fā)布時間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長度、端接、接收機均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細對比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進，同時也在逐漸采用更先進的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實現(xiàn)這些目標。以DDR5為例，相 對于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進，比如在接收機內(nèi)部有均衡器補償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。

4.為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號測試方法、裝置及存儲介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測試效率。5.為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號測試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標志信號；8.s2，根據(jù)標志信號對示波器進行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號進行讀寫信號分離；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進行測試。10.在本發(fā)明的一個實施例中，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標志信號，具體包括：11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號引腳進行信號連接；12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)；13.利用示波器對ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號進行采集并根據(jù)相關(guān)信號的波形確定標志信號。DDR測試USB眼圖測試設(shè)備？

DDR測試

除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對功耗敏感的應(yīng)用場景，相對于同一代技術(shù)的DDR來說會采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感，其電路設(shè)計的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持。同時，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小。 DDR測試技術(shù)介紹與工具分析；上海DDR測試方案商

DDR存儲器信號和協(xié)議測試；上海DDR測試方案商

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DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機面市了。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入，平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽；一旦測試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

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