超聲影像芯片的全集成MEMS設(shè)計與性能突破：針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發(fā)需求，公司開發(fā)了**SoC超聲收發(fā)芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實現(xiàn)發(fā)射與開關(guān)復(fù)用，大幅節(jié)省芯片面積的同時提升性能。在發(fā)射端，通過MEMS高壓驅(qū)動電路設(shè)計，實現(xiàn)±100V峰值輸出電壓與1A持續(xù)輸出電流，較TI同類產(chǎn)品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達(dá)100Msps，信噪比（SNR）達(dá)73.5dB，有效提升弱信號檢測能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術(shù)，實現(xiàn)3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統(tǒng)方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優(yōu)化版圖布局與寄生參數(shù)補償，將5MHz信號的二次諧波降至-40dBc，優(yōu)于行業(yè)基準(zhǔn)-45dBc，***提升圖像分辨率。目前TX芯片已完成流片，與掌上超聲企業(yè)合作開發(fā)便攜式超聲設(shè)備，可實現(xiàn)腹部、心血管等部位的實時成像，探頭尺寸*30mm×20mm，重量＜50g，推動超聲診斷設(shè)備向小型化、智能化邁進(jìn)，助力基層醫(yī)療場景普及。隨著科技的不斷進(jìn)步，MEMS 微納米加工的精度正在持續(xù)提高，趨近于原子級別的操控。北京MEMS微納米加工

微針器件的干濕法刻蝕與集成傳感：基于MEMS干濕法混合刻蝕工藝，公司開發(fā)出多尺度微針器件。通過光刻膠模板與各向異性刻蝕，制備前列曲率半徑<100nm、高度500微米的中空微針陣列，可無創(chuàng)穿透表皮提取組織間液。結(jié)合微注塑工藝，在微針內(nèi)部集成直徑10微米的流體通道，實現(xiàn)5分鐘內(nèi)采集3μL樣本，用于連續(xù)血糖監(jiān)測（誤差±0.2mmol/L）。在透皮給藥領(lǐng)域，載藥微針采用可降解PLGA涂層，載藥率超90%，釋放動力學(xué)可控至24小時線性釋放。同時，微針表面通過濺射工藝沉積金納米層，集成阻抗傳感模塊，可實時檢測炎癥因子（如CRP），檢測限低至0.1pg/mL。此類器件與微流控芯片聯(lián)用，可在15分鐘內(nèi)完成“采樣-分析-反饋”閉環(huán)，為慢性病管理提供便攜式解決方案。西藏MEMSMEMS微納米加工超薄石英玻璃雙面套刻加工技術(shù)，在 100μm 以上基板實現(xiàn)微流道與金屬電極的高精度集成。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內(nèi)，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應(yīng)電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面?zhèn)鞑ィ由蟼鞑ニ俣葮O慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現(xiàn)在晶體基片表面上。于是當(dāng)信號在器件的輸入和輸出端之間行進(jìn)時，就容易對信號進(jìn)行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術(shù)難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術(shù)，實現(xiàn)的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機(jī)接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時提升神經(jīng)信號采集的信噪比。針對藥物遞送與檢測需求，通過干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實現(xiàn)組織間液的無痛提取，又能集成電化學(xué)傳感功能，為糖尿病動態(tài)監(jiān)測、透皮給藥系統(tǒng)提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉(zhuǎn)印工藝，可將光刻硅片模板快速轉(zhuǎn)化為PMMA、COC等硬質(zhì)塑料芯片，支持10個工作日內(nèi)完成從設(shè)計圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產(chǎn)品的研發(fā)驗證周期。熱壓印技術(shù)支持 PMMA/COC 等材料微結(jié)構(gòu)快速成型，較注塑工藝縮短工期并降低成本。

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)：

太赫茲波是天文探測領(lǐng)域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當(dāng)前，太赫茲超導(dǎo)接收機(jī)多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進(jìn)行高集成度陣列擴(kuò)展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機(jī)發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數(shù)值建模與仿真、低溫超導(dǎo)實驗驗證等手段， 微納加工產(chǎn)業(yè)化能力覆蓋設(shè)計、工藝、量產(chǎn)全鏈條，月產(chǎn)能達(dá) 50,000 片并持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新。西藏MEMS微納米加工怎么樣

MEMS的超透鏡是什么？北京MEMS微納米加工

三維微納結(jié)構(gòu)的跨尺度加工技術(shù)：跨尺度加工技術(shù)實現(xiàn)了從納米級到毫米級結(jié)構(gòu)的一體化制造，滿足復(fù)雜微流控系統(tǒng)對多尺度功能單元的需求。公司結(jié)合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機(jī)械加工（精度10μm），在單一基板上構(gòu)建跨3個數(shù)量級的微結(jié)構(gòu)。例如，在類***培養(yǎng)芯片中，納米級表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進(jìn)細(xì)胞黏附，微米級流道（寬度50μm）控制營養(yǎng)物質(zhì)輸送，毫米級進(jìn)樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設(shè)計，先進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)制備（如EBL定義細(xì)胞外基質(zhì)蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，***機(jī)械加工完成宏觀接口，各層結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)誤差＜±2μm。該技術(shù)突破了單一工藝的尺度限制，實現(xiàn)了功能的跨尺度集成，在芯片實驗室（Lab-on-a-Chip）中具有重要應(yīng)用。公司已成功制備包含10nm電極間隙、1μm流道與1mm閥門的復(fù)合芯片，用于單分子電信號檢測，信號分辨率提升至10fA，為納米生物技術(shù)與微流控工程的交叉融合提供了關(guān)鍵制造能力。北京MEMS微納米加工