MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當要維持一個近乎于垂直且平滑的側壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產生具有輕微傾斜角度的側壁輪廓。不過當采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側壁。

2.準確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側壁輪廓平滑性上升為關鍵因素的組件而設計的。就微機電組件而言，需要該方法的組件包括微光機電系統及浮雕印模等。一般說來，此類特性要求，蝕刻率的均勻度控制是遠比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應區附近消耗率高，引發蝕刻劑密度相對降低，而在晶圓邊緣蝕刻率會相應地增加，整片晶圓上的均勻度問題應運而生。上述問題可憑借對等離子或離子轟擊的分布圖予以校正，從而達到均鐘刻的目的。 MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求。廣西特殊MEMS微納米加工

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料：

氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導體材料（室溫下3.4eV，晶體），它有很多應用，如透明導體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測器。并因為可能應用于薄膜晶體管方面正受到相當的關注。同時氧化鋅還具有相當良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來的主要優勢，這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外，還有眾多的二維材料被應用于柔性電子領域，包括石墨烯、半導體氧化物，納米金等。2014年發表在chemicalreview和naturenanotechnology上的兩篇經典綜述詳盡闡述了二維材料在柔性電子的應用。 河北MEMS微納米加工圖片熱壓印技術支持 PMMA/COC 等材料微結構快速成型，較注塑工藝縮短工期并降低成本。

神經電子芯片的MEMS微納加工技術與臨床應用：神經電子芯片作為植入式醫療設備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發多通道神經電刺激SoC芯片，可實現無線充電與通訊功能，將控制信號轉化為精細電刺激脈沖，用于神經感知、調控及阻斷。以128像素視網膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網膜神經細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復合涂層，經120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應，植入體壽命可達5年以上。目前該芯片已批量交付，由母公司中科先見推進至臨床前動物實驗階段，針對視網膜退行***變患者，可重建0.1-0.3的視力，為盲人復明提供了突破性解決方案。該技術突破了傳統植入設備的體積限制，芯片整體厚度＜200μm，兼容微創植入手術，推動神經調控技術向精細化、長期化發展。

新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止到目前，硅基MEMS發展已經有40多年的發展歷程，如何提高產品性能、降低成本是全球企業都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中，搶先一步投入應用，將是國產MEMS彎道超車的好時機。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進行集成一體化，也是MEMS產業新機會。提高自主創新意識，加強創新能力，也不是那么的遙遠。微流控與金屬片電極鑲嵌工藝，解決流道與電極集成的接觸電阻問題并提升檢測穩定性。

三維微納結構的跨尺度加工技術：跨尺度加工技術實現了從納米級到毫米級結構的一體化制造，滿足復雜微流控系統對多尺度功能單元的需求。公司結合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機械加工（精度10μm），在單一基板上構建跨3個數量級的微結構。例如，在類***培養芯片中，納米級表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進細胞黏附，微米級流道（寬度50μm）控制營養物質輸送，毫米級進樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設計，先進行納米結構制備（如EBL定義細胞外基質蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，***機械加工完成宏觀接口，各層結構對準誤差＜±2μm。該技術突破了單一工藝的尺度限制，實現了功能的跨尺度集成，在芯片實驗室（Lab-on-a-Chip）中具有重要應用。公司已成功制備包含10nm電極間隙、1μm流道與1mm閥門的復合芯片，用于單分子電信號檢測，信號分辨率提升至10fA，為納米生物技術與微流控工程的交叉融合提供了關鍵制造能力。硅片、LN 等基板金屬電極加工工藝，通過濺射沉積與剝離技術實現微米級電極圖案化。海南新型MEMS微納米加工

臺階儀與 SEM 測量技術確保微納結構尺寸精度，支撐深硅刻蝕、薄膜沉積等工藝質量管控。廣西特殊MEMS微納米加工

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI：

柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強極性溶劑中進行縮聚反應，然后流延成膜，然后經過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨特的優點，如高絕緣性、良好的粘結性、強的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機高分子材料。

柔性PI膜的應用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機械、航空航天、計算機、光伏電池等領域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業中，柔性PI膜因其優越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯示技術的快速發展，柔性PI膜已成為替代傳統ITO玻璃的新材料之一，廣泛應用于智能手機和其他可折疊設備的制造。 廣西特殊MEMS微納米加工