MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

高深寬比：硅蝕刻工藝通常需要處理高深寬比的問題，如應用在回轉儀(gyroscopes)及硬盤機的讀取頭等微機電組件即為此例。另外，此高深寬比的特性也是發展下一代晶圓級的高密度構造連接上的解決方案?？紤]到有關高深寬比的主要問題，是等離子進出蝕刻反應區的狀況：包括蝕刻劑進入蝕刻接口的困難程度(可借助離子擊穿高分子蔽覆層實現)，以及反應副產品受制于孔洞中無法脫離。在一般的等離子壓力條件下，離子的準直性(loncollimation)運動本身就會將高深寬比限制在約50:1。另外，隨著具線寬深度特征離子的大量轉移，這些細微變化可能會改變蝕刻過程中的輪廓。一般說來，隨著蝕刻深度加深，蝕刻劑成分會減少。導致過多的高分子聚合反應，和蝕刻出漸窄的線寬。針對上述問題，設備制造商已發展出隨著蝕刻深度加深，在工藝條件下逐漸加強的硬件及工藝，這樣即可補償蝕刻劑在大量離子遷徙的變化所造成的影響。 MEMS是從微傳感器發展而來的。江西標準MEMS微納米加工

新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止到目前，硅基MEMS發展已經有40多年的發展歷程，如何提高產品性能、降低成本是全球企業都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中，搶先一步投入應用，將是國產MEMS彎道超車的好時機。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進行集成一體化，也是MEMS產業新機會。提高自主創新意識，加強創新能力，也不是那么的遙遠。陜西MEMS微納米加工發展現狀MEMS被認為是21世紀很有前途的技術之一。

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

3.絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tilting mirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。

物聯網普及極大拓展MEMS應用場景。物聯網的產業架構可以分為四層：感知層、傳輸層、平臺層和應用層，MEMS器件是物聯網感知層重要組成部分。物聯網的發展帶動智能終端設備普及，推動MEMS需求放量，據全球移動通信系統協會GSMA統計，全球物聯網設備數量已從2010年的20億臺，增長到2019年的120億臺，未來受益于5G商用化和WiFi 6的發展，物聯網市場潛力巨大，GSMA預測，到2025年全球物聯網設備將達到246億臺，2019到2025年將保持12.7%的復合增長率。MEMS器件制造工藝更偏定制化。

MEMS傳感器的主要應用領域有哪些？

消費電子產品在MEMSDrive出現之前，手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現防抖(簡稱鏡頭防抖技術)，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補償抖動，但由于這個技術體積龐大、耗電量超出手機載荷，一直無法在手機上應用。憑著微機電在體積和功耗上的突破，新的技術MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達，帶動圖像傳感器在三個旋轉軸移動。MEMSDrive的防抖技術是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達應做的移動幅度并做出快速補償。這一系列動作都要在百分之一秒內做完，你得到的圖像才不會因為抖動模糊掉。 MEMS超表面對光電場特性的調控是怎樣的？陜西MEMS微納米加工發展現狀

MEMS歷史悠久，技術集成程度較高。江西標準MEMS微納米加工

MEMS技術的主要分類：傳感MEMS技術是指用微電子微機械加工出來的、用敏感元件如電容、壓電、壓阻、熱電耦、諧振、隧道電流等來感受轉換電信號的器件和系統。它包括速度、壓力、濕度、加速度、氣體、磁、光、聲、生物、化學等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器、諧振力敏感傳感器、微型加速度傳感器、真空微電子傳感器等。傳感器的發展方向是陣列化、集成化、智能化。由于傳感器是人類探索自然界的觸角，是各種自動化裝置的神經元，且應用領域大，未來將備受世界各國的重視。江西標準MEMS微納米加工