電力熔斷器是熔斷器(fuse)的其中一種,是指當電流超過規定值時,以本身產生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系...
雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向導通,在正負半周均能觸發,可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優點,更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度...
無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產品或工業控制電路中,都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片...
正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現,其電壓和電流容量還很有限,遠遠不能滿足電力電子應用技術發展的需求,特別是在高壓領域的許多應用中,要求器件的電壓等級達到10KV以上。目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采...
由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點:1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子...
基片的應用在管體的P+和N+ 區之間創建了一個J1結。當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時,一個N溝道形成,同時出現一個電子流,并完全按照功率MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內,那么,J1將處于正向偏壓,一些空穴注入N-區內,...
鑒于尾流與少子的重組有關,尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此,根據所達到的溫度,降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的,尾流特性與VCE、IC和 TC有關。柵射極間施加反壓或不加信號時,MOSFET...
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,...
(4)不能實現遙控,需要與電動刀開關、開關組合才有可能。非選擇型斷路器:1、主要優點和特點(1)故障斷開后,可以手操復位,不必更換元件,除非切斷大短路電流后需要維修;(2)有反時限特性的長延時脫扣器和瞬時電流脫扣器兩段保護功能,分別作為過載和短路防護用,各司其...
電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上...
插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。螺旋式熔斷器:熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓...
ISO-8820和QC/T420-2004等標準中將它定義為:接于電路中,當電流超過規定值和規定的時間時,使電路斷開的熔斷式保護器件。熔斷器是一個熱能響應器件,熔斷器中的熔片或熔絲是用電阻率較高的易熔合金制成,或用截面積較小的良導體制成。為了保護線束及其它設備...
發光二極管,簡稱為LED,是一種常用的發光器件,通過電子與空穴復合釋放能量發光,它在照明領域應用***。 [1]發光二極管可高效地將電能轉化為光能,在現代社會具有***的用途,如照明、平板顯示、醫療器件等。 [2]這種電子元件早在1962年出現,早期只能發出低...
測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都...
瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS,按照測量普通二極管的方法,可測出其正、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,反向電阻為無窮大。 [8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管,任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大,否則,說明...
可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其***特點是無噪音,壽命長。可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓,就可觸發...
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。(七)非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸...
b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時,將1000電阻與g極串聯。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(以硅單晶為基本...
測量靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此...
鑒于尾流與少子的重組有關,尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此,根據所達到的溫度,降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的,尾流特性與VCE、IC和 TC有關。柵射極間施加反壓或不加信號時,MOSFET...
發光二極管在很多領域得到普遍應用,下面介紹幾點其主要應用:(1)電子用品中的應用發光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發光二極管用作屏背光源。 [6](2)汽車以及...
一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目增加,反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿...
(三)環保LED燈內部不含有任何的汞等重金屬材料,但是熒光燈中含有,這就體現了LED燈環保的特點。現在的人都十分重視環保,所以,會有更多的人愿意選擇環保的LED燈。 [3](四)響應速度快LED燈還有一個突出的特點,就是反應的速度比較快。只要一接通電源,LED...
Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成:“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號,如:三象限/絕緣型/雙向...
由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點:1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子...
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于...
平面型二極管是一種特制的硅二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩定可靠,多用于開關、脈沖及高頻電路中。在半導體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴散P型雜質,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上*選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此,不需要為調...
快速熔斷器的結構熔斷器由磁殼、導電板、熔體、石英砂、消弧劑、指示器六部分組成。熔體的材質為純銀,形狀為矩形薄片,且具有圓孔狹頸 [1]。快速熔斷器的滅弧原理快速熔斷器的熔體是由純銀制成的,由于純銀的電阻率低、延展性好、化學穩定性好,因此快速熔斷器的熔體可做成薄...