關于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個正方形包含一個小型化的組件。然后，組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網格中。這個想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國陸軍提出的，并導致了短命的小模塊計劃(類似于 1951 年的 Tinkertoy 項目)。[8][9][10]然而，隨著項目勢頭越來越猛，基爾比提出了一個新的**性設計: 集成電路。

1958年7月，德州儀器新雇傭的基爾比記錄了他關于集成電路的**初想法，并于1958年9月12日成功演示了***個可工作的集成示例。[11]1959年2月6日，在他的專利申請中，[12]Kilby將他的新設備描述為“一種半導體材料……其中所有電子電路的組件都是完全集成的。”[13]這項新發明的***個客戶是美國空軍。[14]基爾比贏得了2000年的冠物理諾貝爾獎，為了表彰他在集成電路發明中的貢獻。[15]2009年，他的工作被命名為IEEE里程碑。 | 無錫微原電子科技，集成電路芯片技術的革新者。棲霞區集成電路芯片智能系統

從20世紀30年代開始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（William Shockley）認為是固態真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統的研究。盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發光二極管、激光、太陽能電池和比較高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。

半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。 棲霞區集成電路芯片智能系統| 創新驅動，無錫微原電子科技的芯片技術。

由電力驅動的非常小的機械設備可以集成到芯片上，這種技術被稱為微電子機械系統。這些設備是在 20 世紀 80 年代后期開發的 并且用于各種商業和***應用。例子包括 DLP 投影儀，噴碼機，和被用于汽車的安全氣袋上的加速計和微機電陀螺儀.自 21 世紀初以來，將光學功能(光學計算)集成到硅芯片中一直在學術研究和工業上積極進行，使得將光學器件(調制器、檢測器、路由)與 CMOS 電子器件相結合的硅基集成光學收發器成功商業化。 集成光學電路也在開發中，使用了新興的物理領域，即光子學。集成電路也正在為在醫療植入物或其他生物電子設備中的傳感器的應用而開發。 在這種生物環境中必須應用特殊的密封技術，以避免暴露的半導體材料的腐蝕或生物降解。

有時，專門加工的集成電路管芯被準備用于直接連接到基板，而無需中間接頭或載體。在倒裝芯片系統中，IC通過焊料凸點連接到基板。在梁式引線技術中，傳統芯片中用于引線鍵合連接的金屬化焊盤被加厚和延伸，以允許外部連接到電路。使用“裸”芯片的組件有額外的包裝或填充環氧樹脂以保護設備免受潮氣。IC封裝在由具有高導熱性的絕緣材料制成的堅固外殼中，電路的接觸端子（引腳）從IC主體伸出。基于引腳配置，可以使用多種類型的IC封裝。雙列直插封裝（DIP）、塑料四方扁平封裝（PQFP）和倒裝芯片球柵陣列（FCBGA）是封裝類型的示例。| 無錫微原電子科技，為行業提供先進芯片技術。

因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換，CMOS設備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過電路的設計，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。隨機存取存儲器是**常見類型的集成電路，所以密度比較高的設備是存儲器，但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結構非常復雜－幾十年來芯片寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層，因為他們太大了。高頻光子（通常是紫外線）被用來創造每層的圖案。因為每個特征都非常小，對于一個正在調試制造過程的過程工程師來說，電子顯微鏡是必要工具。| 無錫微原電子科技，芯片技術助力智能時代。崇明區本地集成電路芯片

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**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝，這種封裝很多年來因為可靠性和小尺寸繼續被軍方使用。商用電路封裝很快轉變到雙列直插封裝，開始是陶瓷，之后是塑料。20世紀80年代，VLSI電路的針腳超過了DIP封裝的應用限制，***導致插針網格數組和芯片載體的出現。表面貼著封裝在20世紀80年代初期出現，該年代后期開始流行。它使用更細的腳間距，引腳形狀為海鷗翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）為例，比相等的DIP面積少30-50%，厚度少70%。這種封裝在兩個長邊有海鷗翼型引腳突出，引腳間距為0.05英寸。棲霞區集成電路芯片智能系統

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