**普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線(xiàn)光刻膠曝光中會(huì)生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒(méi)有影響；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛樹(shù)脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會(huì)去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC），從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。整個(gè)顯影過(guò)程中，TMAH沒(méi)有同PHS發(fā)生反應(yīng)。b、負(fù)性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測(cè)量；張家港購(gòu)買(mǎi)光刻系統(tǒng)按需定制

主要流程光復(fù)印工藝的主要流程如圖2：曝光方式常用的曝光方式分類(lèi)如下：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別，在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對(duì)關(guān)系是貼緊還是分開(kāi)。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對(duì)準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會(huì)引起損傷和沾污,成品率較高，對(duì)準(zhǔn)精度也高，能滿(mǎn)足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設(shè)備復(fù)雜，技術(shù)難度高，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?，F(xiàn)代應(yīng)用**廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)。 [2]徐州直銷(xiāo)光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)當(dāng)前先進(jìn)的EUV光刻系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)2nm制程芯片量，應(yīng)用于微納器件加工、芯片制造等領(lǐng)域。

得指出的是，EUV光刻技術(shù)的研發(fā)始于20世紀(jì)80年代。**早希望在半周期為70nm的節(jié)點(diǎn)（對(duì)應(yīng)邏輯器件130nm節(jié)點(diǎn)）就能用上EUV光刻機(jī) [1]?？墒牵@一技術(shù)一直達(dá)不到晶圓廠(chǎng)量產(chǎn)光刻所需要的技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻機(jī)仍然沒(méi)能投入量產(chǎn)。晶圓廠(chǎng)不得不使用193nm浸沒(méi)式光刻機(jī)，依靠雙重光刻的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)32nm存儲(chǔ)器件、20nm和14nm邏輯器件的生產(chǎn)。不斷延誤，對(duì)EUV技術(shù)來(lái)說(shuō)，有利也有弊。一方面，它可以獲得更多的時(shí)間來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，提高性能參數(shù)；另一方面，下一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)會(huì)對(duì)EUV提出更高的要求。

光刻膠（Photoresist）又稱(chēng)光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線(xiàn)等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過(guò)程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類(lèi)有正性、負(fù)性?xún)纱箢?lèi)。在光刻膠工藝過(guò)程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來(lái)，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來(lái)，而未曝光被溶解，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線(xiàn)膠、電子束膠、離子束膠等。電子束光刻系統(tǒng)（如EBL 100KV）采用高穩(wěn)定性電子槍和精密偏轉(zhuǎn)控制，定位分辨率達(dá)0.0012nm [2]。

01:50光刻機(jī)為什么難造？看看他的黑科技！提高光刻技術(shù)分辨率的傳統(tǒng)方法是增大鏡頭的NA或縮 短 波 長(zhǎng)，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 縮 短 波長(zhǎng)。早在80年代，極紫外光刻技術(shù)就已經(jīng)開(kāi)始理論的研究和初步的實(shí) 驗(yàn)，該技術(shù) 的光源是波 長(zhǎng) 為11～14 nm的極端遠(yuǎn)紫外光，其原理主要是利用曝光光源極短的波長(zhǎng)達(dá)到提高光刻技術(shù)分辨率的目的。由于所有的光學(xué)材料對(duì)該波長(zhǎng)的光有強(qiáng)烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成，即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和能用于極紫外的光刻涂層。一個(gè)或多個(gè)噴嘴噴灑顯影液在硅片表面，同時(shí)硅片低速旋轉(zhuǎn)（100～500rpm）。徐州直銷(xiāo)光刻系統(tǒng)量大從優(yōu)

納米級(jí)電子束光刻系統(tǒng)（如JEOL JBX-6300FS）維護(hù)需原廠(chǎng)或指定服務(wù)公司提供 [4]。張家港購(gòu)買(mǎi)光刻系統(tǒng)按需定制

在曝光過(guò)程中，需要對(duì)不同的參數(shù)和可能缺陷進(jìn)行跟蹤和控制，會(huì)用到檢測(cè)控制芯片/控片（Monitor Chip）。根據(jù)不同的檢測(cè)控制對(duì)象，可以分為以下幾種：a、顆?？仄≒article MC）：用于芯片上微小顆粒的監(jiān)控，使用前其顆粒數(shù)應(yīng)小于10顆；b、卡盤(pán)顆?？仄–huck Particle MC）：測(cè)試光刻機(jī)上的卡盤(pán)平坦度的**芯片，其平坦度要求非常高；c、焦距控片（Focus MC）：作為光刻機(jī)監(jiān)控焦距監(jiān)控；d、關(guān)鍵尺寸控片（Critical Dimension MC）：用于光刻區(qū)關(guān)鍵尺寸穩(wěn)定性的監(jiān)控；張家港購(gòu)買(mǎi)光刻系統(tǒng)按需定制

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