光刻機系統是材料科學領域的關鍵設備，通過光學成像原理將掩模版上的微細圖形精確轉移到光刻膠表面。系統配置1Kw近紫外光源與6V/30W顯微鏡燈適配器，配備氣動防震臺保障精密操作環境，其技術參數截至2020年11月24日仍在使用 [1]。通過光化學反應將掩模版上的圖形轉移至光刻膠上 [1]。系統采用光敏材料與精確曝光技術結合的方式完成圖形復制。（截至2020年11月24日更新數據）1.光源系統輸出功率：1千瓦級近紫外光（NUV）配套適配器：6V直流供電，額定功率30W2.穩定裝置完成圖形的曝光后，用激光曝光硅片邊緣，然后在顯影或特殊溶劑中溶解；吳中區銷售光刻系統量大從優

c、水坑（旋覆浸沒）式顯影（Puddle Development）。噴覆足夠（不能太多，**小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉。一般采用多次旋覆顯影液：***次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學品）并旋轉甩干。優點：顯影液用量少；硅片顯影均勻；**小化了溫度梯度。顯影液：a、正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可動離子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC制造中一般不用。吳中區銷售光刻系統量大從優光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；

EUV光刻系統的發展歷經應用基礎研究至量產四個階段，其突破得益于多元主體協同創新和全產業鏈資源整合 [3]。截至2024年12月，EUV技術已應用于2nm芯片量產，但仍需優化光源和光刻膠性能。下一代技術如納米壓印和定向自組裝正在研發中 [6]。**光刻系統主要由荷蘭ASML、日本Nikon和Canon壟斷。國內上海微電子裝備股份有限公司研制的紫外光刻機占據中端市場 [7]。科研領域***使用德國SUSS紫外光刻機（占比45%），國產設備在激光直寫設備中表現較好 [8]。

b、堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力；c、進一步增強光刻膠與硅片表面之間的黏附性；d、進一步減少駐波效應（Standing Wave Effect）。常見問題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低***填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度（Overbake）。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，分辨率變差。另外還可以用深紫外線（DUV，Deep Ultra-Violet）堅膜。使正性光刻膠樹脂發生交聯形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。卡盤顆粒控片（Chuck Particle MC）：測試光刻機上的卡盤平坦度的芯片，其平坦度要求非常高；

其主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，形成集成電路制造所需要的光刻圖形。目 前EUV技 術 采 用 的 曝 光 波 長 為13．5nm，由于其具有如此短的波長，所有光刻中不需要再使用光學鄰近效應校正（OPC）技術，因而它可以把光刻技術擴展到32nm以下技術節點。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工藝晶圓，稱繼續使用193nm浸沒式光刻技術，并規 劃 與EUV及EBL曝 光 技 術 相 配 合，使193nm浸沒式光刻技術延伸到15和11nm工藝節點。 [3]b、通過對準標志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。虎丘區耐用光刻系統批量定制

對準方法：a、預對準，通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準；吳中區銷售光刻系統量大從優

后烘方法：熱板，110～130C,1分鐘。目的：a、減少駐波效應；b、激發化學增強光刻膠的PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影方法：a、整盒硅片浸沒式顯影（Batch Development）。缺點：顯影液消耗很大；顯影的均勻性差；b、連續噴霧顯影（Continuous Spray Development）/自動旋轉顯影（Auto-rotation Development）。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面，同時硅片低速旋轉（100～500rpm）。噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節參數。吳中區銷售光刻系統量大從優

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