炬芯科技正推進第二代存內計算技術IP研發，目標在算力密度、能效比和場景適應性上實現突破：2026年第三代技術：12nm制程，單核1TOPS算力，能效比15.6TOPS/W，支持多核并聯（如8核=2.4 TOPS），有望顛覆汽車、工業邊緣等高算力場景。市場預測：端側AI設備2028年預計達40億臺（年復合增長率32%），75%設備需高能效**硬件，炬芯科技憑借技術代際**優勢，有望持續**市場。結語：炬芯科技的存內計算架構通過硬件級存算融合、三核異構協同和場景化深度優化，在能效、實時性、開發生態等方面建立了代際**優勢。其技術不僅支撐了智能穿戴、專業音頻等領域的**應用，更通過規模化量產與生態構建，為AIoT設備提供了高性價比的端側算力平臺。隨著第二代技術的落地，炬芯科技有望進一步**端側AI芯片的技術變革，重塑全球半導體競爭格局。12S數字功放芯片采用3D封裝技術，芯片厚度只有0.8mm，適合超薄便攜設備如智能眼鏡、TWS耳機倉。貴州至盛芯片ATS3085L

展望未來，藍牙芯片市場前景廣闊。隨著物聯網、人工智能、5G等技術的不斷發展，藍牙芯片將在更多領域得到應用，市場需求將持續增長。預計到2029年，全球藍牙設備出貨量將攀升至近80億臺，藍牙電子貨架標簽、智能標簽出貨量分別達1.38億和1.4億臺。然而，市場發展也面臨著一些挑戰。芯片供應鏈的穩定性仍然是一個關鍵問題，尤其是在地緣***緊張局勢加劇的情況下。同時，市場競爭日益激烈，企業需要不斷加大研發投入以保持技術**優勢，這對利潤率造成一定壓力。此外，消費者對音質、功能、安全性等方面的要求不斷提升，也對藍牙芯片廠商的技術創新能力提出了更高要求。甘肅至盛芯片ATS3031ACM8815通過AEC-Q100車規級認證，可在-40℃至125℃極端溫度范圍內穩定工作，適用于車載信息娛樂系統升級。

ATS2853P2是國內首批支持藍牙Audio Broadcast協議的芯片，可實現1個音源向8個音箱同步廣播音頻流，組網延遲低于50ms。其CSB（Coordinated Stereo Broadcasting）協議通過時間戳同步機制，確保多音箱聲場相位一致，在10米范圍內聲場重疊誤差＜2°。設計時需在PCB布局中將藍牙天線與Wi-Fi天線間距保持≥20mm，并采用金屬屏蔽罩隔離數字電路噪聲，避免組播時出現音頻斷續。芯片集成嵌入式PMU（電源管理單元），支持Sniff模式、藍牙空閑模式、播放模式及通話模式動態功耗調節。實測在Sniff模式下電流*600μA（3.8V電池），播放SBC音頻時功耗15.5mA，通話模式16.5mA。設計時需采用分壓供電策略：藍牙射頻模塊使用1.8V電壓，數字基帶采用1.2V，音頻DAC則提升至3.3V以提升信噪比，此方案可使整體續航提升25%。

    藍牙芯片在音頻設備（如藍牙耳機、藍牙音箱、車載音響）中的應用，主要在于提升音頻傳輸的穩定性與音質表現，相關技術不斷突破傳統局限。早期藍牙音頻傳輸采用 SBC 編碼格式，音質較差且傳輸延遲高（約 200ms），難以滿足專業音頻需求。近年來，藍牙芯片開始支持更高質量的編碼格式，如 AAC、aptX、LDAC，其中 LDAC 編碼格式可實現高達 990kbps 的傳輸速率，接近無損音頻品質，搭配高性能音頻解碼模塊，讓藍牙音頻設備的音質媲美有線設備。在傳輸延遲優化方面，芯片廠商通過改進協議棧與基帶算法，推出低延遲模式，如某品牌藍牙芯片的游戲模式延遲可低至 30ms 以下，解決了藍牙耳機在游戲、視頻觀看場景中 “音畫不同步” 的問題。此外，藍牙芯片還集成音頻處理功能，如降噪技術（ANC 主動降噪、環境音模式），通過內置麥克風采集環境噪聲，生成反向聲波抵消噪聲，提升音頻清晰度；支持均衡器調節，用戶可根據聽音偏好調整低音、中音、高音參數，優化音質體驗。這些音頻傳輸與處理技術的升級，推動藍牙音頻設備向品質高、低延遲方向發展。低功耗藍牙音響芯片可延長設備續航，滿足長時間戶外播放音樂需求。

炬力藍牙芯片的發展不僅推動了智能眼鏡產品本身的進步，還對智能眼鏡生態的完善與促進起到了重要作用。通過與上下游企業的合作，炬力構建了一個完整的智能眼鏡產業鏈生態。在芯片設計、制造、封裝測試等環節，與專業的企業合作，確保芯片的質量和性能；在軟件開發方面，與軟件開發商合作，為智能眼鏡開發各種實用的應用程序和功能；在市場推廣方面，與品牌廠商合作，共同推廣智能眼鏡產品，提高市場認知度和接受度。這種完善的生態體系為智能眼鏡行業的發展提供了有力的支撐。藍牙音響芯片的高保真音頻處理技術，帶來宛如現場的聆聽感受。內蒙古音響芯片ATS3009P

廣場舞音響設備選用ACM8623，憑借大功率輸出與抗干擾能力，讓音樂在嘈雜環境中依然清晰洪亮。貴州至盛芯片ATS3085L

炬芯科技自主研發的模數混合SRAM存內計算（MMSCIM）架構，通過硬件級重構與全鏈路優化，徹底顛覆馮·諾依曼架構的“存儲-計算分離”模式。其**原理是將計算單元直接嵌入存儲單元，數據無需在存儲器與計算單元間搬運，從而消除“存儲墻”與“功耗墻”問題。具體技術優勢包括：能效比*****代技術（2024年落地）：單核算力100GOPS，能效比達6.4TOPS/W（INT8），較傳統DSP架構提升60倍，功耗降低90%以上。第二代技術（2025年推出）：單核算力提升至300GOPS，能效比優化至7.8TOPS/W，原生支持Transformer模型，推理延遲降低5-10倍。第三代技術（2026年規劃）：采用12nm制程，單核算力突破1TOPS，能效比達15.6TOPS/W，超越馮·諾依曼架構理論極限（10TOPS/W）。
貴州至盛芯片ATS3085L