至盛車規級芯片通過AEC-Q100 Grade 1認證，在-40℃至150℃極端溫度下穩定運行，**了國產芯片在高溫環境下的可靠性難題。其ACM5620車載音頻芯片采用雙核架構，主控核處理音頻解碼，安全核監控電壓與溫度，故障響應時間縮短至10μs，較傳統方案提升10倍。在比亞迪漢EV車型中，該芯片使車載音響系統功耗降低45%，同時支持7.1聲道環繞聲與杜比全景聲解碼，車內聲場均勻度提升20%，為乘客提供影院級聽覺體驗。據中國汽車芯片產業創新戰略聯盟數據，2025年國內車載音頻芯片市場規模達80億元，至盛憑借技術突破占據25%份額，打破博世、大陸等國際廠商壟斷，推動“中國芯”在汽車領域實現從“可用”到“好用”的跨越。舞臺演出音響設備搭載ACM8623，其高功率與動態范圍控制功能，確保現場音樂層次分明、震撼有力。湖北至盛ACM8625S

    至盛 ACM 芯片采用了一系列獨特的音效增強技術，為用戶帶來更加豐富、生動的聽覺體驗。其中，智能均衡器技術能夠根據不同音樂類型的特點，自動調整音頻的頻率響應。例如，在播放古典音樂時，增強中高頻段的表現力，使樂器的音色更加明亮、細膩；而在播放搖滾音樂時，提升低頻段的力度，讓節奏更加震撼有力。此外，芯片還運用了虛擬環繞聲技術，通過算法模擬出多聲道環繞聲效果，讓用戶即使在使用單聲道或雙聲道藍牙音響時，也能感受到身臨其境的音樂氛圍。獨特的人聲增強技術則能夠突出歌曲中的人聲部分，使歌手的演唱更加清晰、動人，這些音效增強技術的獨特組合，讓至盛 ACM 芯片在音質提升方面獨具優勢，為用戶打造出個性化、品質高的音樂盛宴。湖北國產至盛ACM現貨ACM8623支持I2S數字輸入，可以直接與藍牙芯片等數字信號源對接，減少信號轉換損失，提高音質保真度。

ACM8623采用雙通道PWM脈寬調制架構，通過動態調整脈寬實現高效音頻信號放大。其**電路由差分輸入級、PWM調制器和功率輸出級組成。差分輸入級抑制共模干擾，確保信號純凈度；PWM調制器根據輸入信號幅度實時調整脈寬，優化效率并降低靜態功耗；功率輸出級采用Class-D拓撲，通過MOSFET開關實現高功率密度輸出。該架構在4Ω負載下可輸出2×14W功率，PBTL模式下單通道達23W，兼顧便攜性與性能。深圳市芯悅澄服科技有限公司專業音頻設計10余載，致力于新產品的開發與設計，熱情歡迎大家蒞臨本公司參觀考察，共同探討音界的美妙。

    至盛 ACM 芯片高度重視軟件算法的優化，并持續投入大量資源進行研發。在音頻解碼算法上，不斷優化算法結構，提高解碼效率，減少解碼時間與資源占用，同時進一步提升音頻的還原度與音質表現，使音樂更加真實、動聽。在降噪算法方面，通過對環境噪音的實時監測與分析，采用自適應降噪算法，能夠更準確地去除背景噪音，即使在嘈雜的環境中，也能為用戶提供清晰純凈的音樂。此外，軟件算法還實現了對音響系統的智能控制，如根據用戶的使用習慣自動調整音量、音效模式等個性化設置。通過持續的軟件算法優化，至盛 ACM 芯片不斷挖掘硬件潛力，為用戶帶來更質優、便捷的使用體驗，增強了產品的市場競爭力。至盛12S數字功放芯片芯片采用新型PWM脈寬調制架構，靜態功耗降低30%，工作溫度下降15℃。

氮化鎵作為寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度（3.4eV）是硅（1.1eV）的3倍，這意味著在相同電壓下，GaN器件的擊穿場強更高，可設計更薄的漂移層，從而大幅降低導通電阻。ACM8815集成的GaN MOSFET在4Ω負載下，10% THD+N條件下可輸出200W功率，而傳統硅基D類功放需外接散熱器才能實現同等功率，且效率通常低于85%。GaN的開關頻率可達MHz級（ACM8815實測開關頻率1.2MHz），遠高于硅基器件的幾百kHz，這使得輸出濾波器體積縮小60%以上，同時降低EMI干擾。此外，GaN的零溫度系數特性（導通電阻隨溫度變化極小）確保了ACM8815在-40℃至125℃寬溫范圍內功率穩定性，這是汽車音響等極端環境應用的關鍵。ACM8623高度集成了多種音效算法和模塊，如數字、模擬增益調節，信號混合模塊，EQ（均衡器）和DRC等.湖北國產至盛ACM3128A

教育機構教學音響系統集成ACM8623，利用其清晰音質與穩定性能，確保教學內容準確傳達，優化課堂教學環境。湖北至盛ACM8625S

ACM8815通過三大創新實現無散熱器設計：GaN材料低熱阻：芯片采用Flip-Chip封裝，GaN裸片直接焊接在PCB銅基板上，熱阻（RθJA）*10℃/W（傳統硅基D類功放熱阻>40℃/W）。在200W輸出時，芯片結溫升高*20℃（假設環境溫度25℃，PCB銅箔面積≥1000mm2）。動態功率分配：DSP引擎實時監測輸入信號功率，當信號功率低于50W時，自動切換至“低功耗模式”，關閉部分H橋MOSFET以減少靜態損耗。熱仿真優化：通過ANSYS Icepak軟件對芯片進行三維熱仿真，發現熱量主要集中于GaN裸片區域。優化方案包括：在PCB對應位置鋪設2oz銅箔，增加導熱孔密度（每平方毫米2個），以及在芯片下方使用導熱系數>3W/m·K的導熱膠。實測在25℃環境溫度下，200W連續輸出1小時后，芯片結溫穩定在110℃（遠低于150℃結溫極限）。湖北至盛ACM8625S